[发明专利]一种生长钙钛矿薄膜的方法在审
| 申请号： | 201810601754.0 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108847455A | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 邓金祥;李瑞东;陈亮 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张立改 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 生长 钙钛矿薄膜 终端设置 沉积区 制备 化学气相沉积 升华 功能薄膜 迅速降温 加热源 重合 沉积 | ||
1.一种生长钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，采用的装置为：一个空腔，空腔内底部独立放置优选依次放置有CH3NH3I、PbI2、衬底；CH3NH3I、PbI2和衬底所在的底部或位置均能控温，空腔相对的两侧面开有孔，用于通入惰性气体如氩气作为载气体，使得气体经过CH3NH3I、PbI2到达衬底，即衬底作为终端；具体制备方法包括以下步骤：
(1)将衬底如利用ITO玻璃作为衬底，依次在甲苯、丙酮、乙醇以及去离子水中超声清洗后放入手套箱中干燥1小时备用；将清洗后的衬底、PbI2材料、CH3NH3I材料放在所述的装置中；
(2)采用PbI2材料所在的底部或位置的热源升华PbI2材料，衬底所在的终端设置合适的PbI2生长温度150-250℃，PbI2沉积完成后，该衬底所在的终端热源和PbI2材料所在的底部或位置的热源迅速降温；
(3)采用CH3NH3I材料所在的底部或位置的热源升华CH3NH3I材料，衬底所在的终端设置合适的CH3NH3I生长温度50-100℃；使CH3NH3I沉积到步骤(2)的PbI2沉积区上，CH3NH3I与PbI2反应生成CH3NH3PbI3薄膜。
2.按照权利要求1所述的一种生长钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，衬底所在的终端设置合适的PbI2生长温度200℃。
3.按照权利要求1所述的一种生长钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，衬底所在的终端设置合适的CH3NH3I生长温度70℃。
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