[发明专利]一种应用于薄膜晶体管线路的无氟铜钼蚀刻液在审
| 申请号： | 201810602238.X | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108893741A | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 马帅帅;许澎;叶招莲;傅小飞;宋亚萍 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C23F1/26 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 张福敏 |
| 地址： | 213001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铜钼 蚀刻液 薄膜晶体管 蚀刻 废液处理成本 过氧化氢 混合配制 稳定剂 无机酸 有机碱 有机酸 减小 刻蚀 应用 | ||
1.一种应用于薄膜晶体管线路的无氟铜钼蚀刻液，其特征在于，由下列组分按质量比例在室温下混合配制而成：30～70份的过氧化氢、0.1～10份的无机酸、0.5～20份的有机酸、0.1～30份的有机碱、0.1～2份的刻蚀稳定剂以及余量水。
2.根据权利要求1所述的无氟铜钼蚀刻液，其特征在于，所述的无机酸为硫酸、盐酸、磷酸、硝酸中的一种或者多种。
3.根据权利要求1或2所述的无氟铜钼蚀刻液，其特征在于，所述的有机酸为柠檬酸、苹果酸、乙醇酸、草酸、乙二酸、丙二酸、丁二酸、酒石酸、甘氨酸、琥珀酸中的一种或者多种。
4.根据权利要求3所述的无氟铜钼蚀刻液，其特征在于，所述的刻蚀稳定剂为咪唑啉季铵盐、苯并三唑、三唑氮钠、疏基苯并三氮唑、苯并三氮唑、5-氨基-1H-四氮唑、((1H-四氮唑-5-乙基)氨基)乙醇、1-((1H-四氮唑-5-乙基)氨基)-2-丙醇、1-((1H-四氮唑-5-乙基)氨基)-1-异丙醇、1-((1H-四氮唑-5-乙基)氨基)-1-异丙醇、1-((1H-四氮唑-5-乙基)氨基)-1-丁醇、1-((1H-四氮唑-5-乙基)氨基)-2-丁醇的一种或者多种。
5.根据权利要求1所述的无氟铜钼蚀刻液，其特征在于，所述的有机碱为乙醇胺、异丙醇胺、丁醇胺、多乙基多胺的一种或者多种。
6.根据权利要求1所述的无氟铜钼蚀刻液，其特征在于，由下列组分按质量比例在室温下混合配制而成：12g异丙醇胺、6g柠檬酸、0.5g硫酸、4g丁二酸、0.5g的((1H-四氮唑-5-乙基)氨基) 乙醇、45g过氧化氢和300g水。
7.根据权利要求1所述的无氟铜钼蚀刻液，其特征在于，由下列组分按质量比例在室温下混合配制而成：20g异丙醇胺、4g苹果酸、0.6g磷酸、4g丙二酸、0.7g的1-((1H-四氮唑-5-乙基)氨基)-1-异丙醇、60g过氧化氢和300g水。
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