[发明专利]一种化学水浴沉积设备和工艺

权利要求书

1.一种化学水浴沉积设备，其特征在于，包括：反应装置；加热装置；泵送装置；所述加热装置设置于所述反应装置的侧面，所述泵送装置设置于所述加热装置的下方，所述加热装置分别通过管道与所述反应装置及所述泵送装置连接；所述泵送装置通过所述管道与所述反应装置连接；

所述反应装置用于容纳反应液，使基板在反应液中沉积出CdS膜层；

所述反应装置至少包括一个扩散器；所述扩散器的出口设置有流场调节组件；所述流场调节组件上具有多个通孔；所述流场调节组件用于调节所述通孔的孔径；所述流场调节组件包括高分子水凝胶及填充于所述高分子水凝胶中的磁性氧化物；

所述加热装置用于加热所述反应液；所述泵送装置用于通过所述管道循环输送所述反应液。

2.根据权利要求1所述的化学水浴沉积设备，其特征在于，所述化学水浴沉积设备还包括预混合装置；所述预混合装置设置于所述反应装置的上方，所述预混合装置用于混合反应原料。

3.根据权利要求1或2所述的化学水浴沉积设备，其特征在于，所述流场调节组件上缠绕有通电导线；所述通电导线用于接通交流电时产生交变磁场；通过施加的交变磁场使磁性氧化物产生热能对所述高分子水凝胶进行加热，调节所述通孔的孔径。

4.根据权利要求3所述的化学水浴沉积设备，其特征在于，所述高分子水凝胶包括聚丙烯酸树脂共聚交联物；所述磁性氧化物包括纳米级四氧化三铁。

5.一种采用权利要求1至权利要求4任一项所述的设备进行沉积的工艺，其特征在于，包括以下步骤：

将硫酸镉、氨水及纯水加入到预混合装置中进行混合，获得第一反应液；

将所述第一反应液及硫脲加入至所述反应装置中，获得第二反应液；

采用所述加热装置对所述第二反应液进行加热及采用所述泵送装置对所述第二反应液进行循环输送；

通过无接触式磁场诱导加热，调节所述流场调节组件中通孔的孔径，基板在所述第二反应液中沉积出CdS膜层。

6.根据权利要求5所述的工艺，其特征在于，所述调节所述流场调节组件中通孔的孔径，包括：

将缠绕于所述流场调节组件的通电导线接通交流电；

调节所述交流电的频率或电流，改变所述通孔的孔径。