[发明专利]一种薄片基板的加工方法在审
申请号: | 201810603409.0 | 申请日: | 2018-06-12 |
公开(公告)号: | CN110600416A | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 王诗男 | 申请(专利权)人: | 上海新微技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 11535 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 刘元霞 |
地址: | 201800 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄片基板 主面 支撑基板 背面 半导体加工设备 半导体加工 复合基板 工艺限制 临时键合 微细加工 凹部 键合 申请 加工 保证 | ||
1.一种薄片基板的加工方法,包括:
在支撑基板的第2主面形成多个凹部;
将薄片基板的第1主面与所述支撑基板的第1主面键合;
对所述薄片基板的第2主面进行微细加工;以及
将所述支撑基板从所述薄片基板上去除,
其中,所述支撑基板的所述第1主面位于所述支撑基板的所述第2主面的背面,所述薄片基板的所述第1主面位于所述薄片基板的所述第2主面的背面。
2.如权利要求1所述的加工方法,其中,所述加工方法还包括:
在所述薄片基板的第1主面和/或所述支撑基板的第1主面形成用于键合的无机材料薄膜,
其中,所述薄片基板的第1主面和所述支撑基板的第1主面通过所述无机材料薄膜而键合。
3.如权利要求1或2所述的加工方法,其中,所述加工方法还包括:
在将所述薄片基板与所述支撑基板分离前,在所述支撑基板中形成贯通所述支撑基板的第2主面和第1主面的贯通部。
4.如权利要求3所述的加工方法,其中,将所述支撑基板从所述薄片基板上去除的步骤包括:
经由所述贯通部去除至少部分所述无机材料薄膜,使所述支撑基板和所述薄片基板分离。
5.如权利要求4所述的加工方法,其中,将所述支撑基板从所述薄片基板上去除的步骤还包括:
在经由所述贯通部去除至少部分所述无机材料薄膜之前,将所述薄片基板的第2主面键合到支撑物表面;以及
在经由所述贯通部去除至少部分所述无机材料薄膜之后,将所述薄片基板的第2主面与所述支撑物分离。
6.如权利要求1或2所述的加工方法,其中,将所述支撑基板从所述薄片基板上去除的步骤包括:
对所述支撑基板进行研磨和/或腐蚀,从而将所述支撑基板去除。
7.如权利要求6所述的加工方法,其中,将所述支撑基板从所述薄片基板上去除的步骤还包括:
在对所述支撑基板进行研磨和/或腐蚀之前,将所述薄片基板的第2主面键合到支撑物表面;以及
在对所述支撑基板进行研磨和/或腐蚀之后,将所述薄片基板的第2主面与所述支撑物分离。
8.如权利要求5或7所述的加工方法,其中,
所述薄片基板的第2主面通过胶键合到支撑物表面。
9.如权利要求2所述的加工方法,其中,
所述无机材料薄膜包括反光材料。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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