[发明专利]形成导电互连结构的方法、导电互连结构以及三维存储器

权利要求书

1.一种导电互连结构，包括：

第一互连层，所述第一互连层包括多个第一导电柱；

第二互连层，位于所述第一互连层上，所述第二互连层包括间隔层和多个第二导电柱，所述间隔层与所述第一互连层在垂直方向上相互间隔以形成空隙，所述多个第二导电柱间隔地设置于所述空隙中，各第二导电柱与各第一导电柱对准且相互连接。

2.如权利要求1所述的导电互连结构，其特征在于，还包括阻挡层，位于所述第一互连层的表面，且与所述间隔层在垂直方向上相互间隔，所述阻挡层的上表面高度不低于所述第一导电柱的顶面。

3.如权利要求1所述的导电互连结构，其特征在于，所述多个第二导电柱中的每个第二导电柱侧面具有包覆层以防止所述第二导电柱所含金属扩散。

4.如权利要求3所述的导电互连结构，其特征在于，所述包覆层与所述间隔层的材料相同。

5.如权利要求3所述的导电互连结构，其特征在于，所述多个第二导电柱中的每个第二导电柱具有表面层和位于所述表面层内的中心层。

6.如权利要求5所述的导电互连结构，其特征在于，所述表面层的材料是铊或氮化铊，所述中心层的材料是铜。

7.如权利要求1所述的导电互连结构，其特征在于，所述多个第二导电柱中的每个第二导电柱的宽度在垂直方向上是均匀的。

8.如权利要求1所述的导电互连结构，其特征在于，所述多个第一导电柱和所述多个第二导电柱的材料是金属。

9.如权利要求1所述的导电互连结构，其特征在于，所述间隔层为绝缘层。

10.如权利要求2所述的导电互连结构，其特征在于，所述阻挡层为绝缘层。

11.一种三维存储器，包括如权利要求1-10任一项所述的导电互连结构。

12.如权利要求11所述的三维存储器，其特征在于，所述多个第一导电柱和所述多个第二导电柱组成所述三维存储器的位线。

13.一种形成导电互连结构的方法，包括以下步骤：

在介质层中形成多个第一导电柱；

在所述介质层上形成具有多个沟槽的牺牲层，所述多个沟槽与所述多个第一导电柱对准；

在所述多个沟槽中形成多个第二导电柱，各所述第二导电柱与各第一导电柱对准且相互连接；

去除所述牺牲层，而使所述多个第二导电柱之间形成空隙；

在所述多个第二导电柱以及所述空隙之上覆盖间隔层。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，在介质层中形成多个第一导电柱之前还包括，在所述介质层上形成阻挡层，其中所述第一导电柱的顶面不高于所述阻挡层的上表面。

15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，还包括在所述多个第二导电柱中的每个第二导电柱侧面形成包覆层。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，在所述多个第二导电柱以及所述空隙之上覆盖间隔层的方法包括：使用低共形性方法在所述多个第二导电柱之上沉积所述间隔层，且一并在每个第二导电柱侧面形成包覆层。

17.如权利要求15所述的方法，其特征在于，在所述多个沟槽中形成多个第二导电柱的步骤包括：

在所述多个沟槽中形成表面层；

在所述表面层内形成中心层。

18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述表面层的材料是铊或氮化铊，所述中心层的材料是铜。