[发明专利]光电传感器及其制备方法

说明书

本申请提供一种光电传感器及其制备方法。本申请中，光电传感器包括：电路转接板、感光芯片、发光件以及遮光墙。其中，感光芯片位于电路转接板上；感光芯片包括感光区与非感光区；发光件位于感光芯片的非感光区；遮光墙位于感光芯片的非感光区上方，且位于感光区与发光件之间。本申请实施例提供的技术方案，可以减小光电传感器的尺寸。

技术领域

本申请涉及传感器技术领域，特别涉及一种光电传感器及其制备方法。

背景技术

相关技术中，光电传感器包括电路转接板、发光芯片、感光芯片以及遮光体，发光芯片与感光芯片分别位于电路转接板上，发光芯片与感光芯片之间存在一定的距离，遮光体包括位于发光芯片与感光芯片之间的遮光墙。这种结构的光电传感器在产品尺寸缩减上有限，不能满足小型化的需求。

发明内容

本申请实施例提供一种光电传感器及其制备方法，可以减小光电传感器的尺寸。

本申请部分实施例提供了一种光电传感器，包括：

电路转接板；

感光芯片，位于所述电路转接板上；其中，所述感光芯片包括感光区与非感光区；

发光件，位于所述感光芯片的所述非感光区；

遮光墙，位于所述感光芯片的所述非感光区上方，且位于所述感光区与所述发光件之间。

在一个实施例中，所述遮光墙远离所述感光芯片的表面与所述感光芯片之间的距离大于所述发光件的发光面与所述感光芯片之间的距离。

在一个实施例中，所述遮光墙与所述感光芯片相接触。

在一个实施例中，所述遮光墙包括第一遮光体与第二遮光体；

所述第一遮光体位于所述非感光区，所述第二遮光体位于所述第一遮光体上。

在一个实施例中，所述第一遮光体的材料包括硅。

在一个实施例中，所述第一遮光体为空白芯片、主动芯片或者被动芯片。

在一个实施例中，所述光电传感器，还包括第一透明封装层；

所述第一透明封装层位于所述电路转接板上，包裹所述感光芯片、发光件以及所述遮光墙，且所述第一透明封装层远离所述电路转接板的表面与所述遮光墙远离所述电路转接板的表面齐平或平行。

在一个实施例中，所述光电传感器，还包括第一遮光层；所述第一遮光层上设有第一通孔与第二通孔；

所述第一遮光层位于所述第一透明封装层上，所述第一通孔与所述感光区相对，所述第二通孔与所述发光件相对。

在一个实施例中，所述光电传感器，还包括透明罩；

所述透明罩盖合在所述电路转接板上形成容纳所述感光芯片、发光件以及所述遮光墙的密封空间；

所述透明罩靠近所述遮光墙的表面与所述遮光墙接触。

在一个实施例中，所述光电传感器，还包括第二遮光层；所述第二遮光层上设有第三通孔与第四通孔；

所述第二遮光层位于所述透明罩的外表面上，所述第三通孔与所述感光区相对，所述第四通孔与所述发光件相对。

在一个实施例中，所述光电传感器，还包括第一遮光罩；所述第一遮光罩上设有第五通孔与第六通孔；

所述第一遮光罩盖合在所述电路转接板上形成容纳所述感光芯片、发光件以及所述遮光墙的容纳空间；所述第一遮光罩靠近所述遮光墙的表面与所述遮光墙接触；

所述第五通孔与所述感光区相对，所述第六通孔与所述发光件相对。