[发明专利]一种应用于半导体行业的直接写入等离子喷涂技术

权利要求书

1.一种半导体设备中应用直接写入等离子喷涂技术，其特征在于，

(1)在不同基体上，采用等离子喷涂技术喷涂不同材料/不同厚度的涂层；

(2)直接写入等离子喷涂技术通常是在同一个基体上喷涂两种以上的不同的涂层；

(3)同一基体上，根据各个涂层的性能特点构建成一个功能型微型“设备”，传感器，热电偶；

(4)在涂层中间或顶部涂层上方喷涂嵌入式的无线电，连接外部相关设备，从而观察到微型设备的变化。

2.如权利要求1所述的直接写入等离子喷涂技术，其特征在于，所述步骤(1)的等离子喷涂技术可以是大气等离子喷涂技术，超音速火焰等离子喷涂，悬浮液等离子喷涂技术。

3.如权利要求1所述的直接写入等离子喷涂技术，其特征在于，所述步骤(1)中的涂层可以是具有耐磨、耐蚀、耐高温氧化、电绝缘和密封等性能，喷涂材料依据涂层性能可以是陶瓷材料、合金、金属材料。

4.如权利要求1所述的直接写入等离子喷涂技术，其特征在于，所述步骤(2)、(3)中具有传感器功能的微型“设备”，可以是利用不同涂层的电阻不同制造出具有热敏电阻功能的传感器；也可以是利用不同涂层的磁性不同制造出磁性传感器；也可以利用不同涂层的导热系数的不同制造出具有微型热电偶以及其他功能的传感器和电子设备。

5.如权利要求1所述的直接写入等离子喷涂技术，其特征在于，所述步骤(4)中在半导体行业中应用的无线电是用激光喷涂将无线电嵌入涂层内。

6.一种应用于半导体行业的直接写入等离子喷涂技术，其特征在于，该直接写入等离子喷涂技术可以在半导体行业应用，可用于在蚀刻机内的硅环、喷嘴上制造传感器。

7.根据权利要求6所述的在半导体行业应用的直接写入等离子喷涂技术，其特征在于，用直接写入等离子喷涂在硅环上制造电阻传感器，其制造方法是：在硅环上用大气等离子喷涂Al₂O₃涂层，涂层厚度为75μm，然后在该涂层上喷涂一层面积很小(约1-2cm²)的半导体涂层NiAl,涂层厚度为10μm，再在半导体涂层上喷涂面积稍大于半导体涂层的Al₂O₃涂层，涂层厚度比第一层喷涂的Al₂O₃涂层涂层略薄，约为70μm；在第三层的Al₂O₃涂层外用激光喷涂无线电，以连接外部观测设备；利用Al₂O₃涂层和NiAl涂层的电阻不同，形成一个电阻传感器。

8.根据权利要求6所述的在半导体行业应用的直接写入等离子喷涂技术，其特征在于，用该技术在喷嘴上制造湿度传感器，其制造方法是：在喷嘴上先喷涂Y₂O₃涂层，约为25μm，然后在其上方喷涂小面积的NiCr半导体涂层，约为5μm，再在NiCr半导体涂层上喷涂稍大于该涂层的Y₂O₃涂层，其厚度比第一层的Y₂O₃涂层略薄，约为20μm；在第三层的Y₂O₃涂层外用微型激光喷涂无线电，以连接外部观测设备；NiCr作为粘结层，由于NiCr与Y₂O₃涂层的耐腐蚀性的不同，形成一个湿度传感器。