[发明专利]一种RFID芯片及其制作方法

说明书

本发明涉及一种RFID芯片及其制作方法，一方面，其公开了一种RFID芯片，采用无基板的电极嵌入封装胶结构，电极嵌入在封装胶中，由于没有传统QFN电极所附着的筋线的限制，框架间隙更小、所需键合线更少，在相同感抗下，封装体结构更简单、成本更低；另一方面，相应的，其还公开了一种RFID制作方法，采用剥离式承载片的加工工艺，制作工艺流程也更简单、更环保，其芯片产品的布线设计也有了更大自由度，后续封装的效率也获得了极大提高。

技术领域

本发明属于RFID(射频识别)领域，其具体涉及一种RFID(射频识别)芯片及其制作方法。

背景技术

RFID是Radio Frequency ldentification的缩写，即，射频识别，是一种非接触式的自动识别技术，它通过射频信号自动识别目标对象，可快速地进行物品追踪和数据交换。识别工作无须人工干预，可工作于各种恶劣环境。RFID技术可识别高速运动物体并可同时识别多个标签，操作快捷方便。RFID技术诞生于第二次世界大战期间，它是传统条码技术的继承者，又称为″电子标签″或“射频标签”。

RFID芯片是物联网的关键部件，现有技术中，它的芯片封装通常是在QFN的支架上完成的，封装工艺较为复杂，且由于支架蚀刻受限于框架铜厚及支撑筋，使得这类框架的精度和应用大大受限制，图1为传统的RFID芯片结构，我们可以看到，框架的筋挡住了环形天线的连续性，需要用键合线来实现跨接，无疑对阻抗有较大影响；同时，QFN框架的铜厚通常为0.15mm-0.25mm，天线蚀刻的间隙通常是厚度的0.8倍，即，0.12mm-0.2mm，导致封装可靠性较低，获得的封装体较大，成本高、机械强度较低。

正是由于现有技术的种种缺陷，目前，亟需获得一种制作工艺流程更为简单环保，且可降低生产成本、提高封装效率的RFID芯片制作工艺，并亟需获得一种具有大感抗、小体积的RFID芯片产品；这对于积极推动我国物联网产业发展，提升核心竞争力，都具有重要的作用。

发明内容

针对现有技术存在的缺陷，本发明提供了一种RFID芯片及其制作方法，该RFID芯片采用无基板的电极嵌入封装胶结构，没有传统QFN电极所附着的筋线的限制，框架间隙更小、所需键合线更少，在相同感抗下，封装体结构更简单、成本更低；且其采用剥离式承载片的加工工艺，制作工艺流程也更简单、更环保，且芯片产品的布线设计也有了更大自由度，后续封装的效率也获得了极大提高。

本发明技术方案为：

一种RFID芯片，该RFID芯片采用无基板的电极嵌入封装胶结构，包括电极、芯片元件、及封装胶，其中，所述芯片元件通过固晶形成在电极上，所述封装胶对上述电极和芯片元件进行封装，所述电极嵌入在封装胶中。

较佳的，所述芯片元件附着在电极上，由一种以上的子芯片构成，子芯片间通过电极或键合线进行连接。

较佳的，所述子芯片的朝向一致，或者，所述键合线的朝向一致。

较佳的，所述电极的纵截面为“T”形结构或“I”形结构。

较佳的，所述电极为单层金属材料构成，所述单层金属包括如下任一或其合金：铝、金、银、镍、铜；或者，所述电极为多层金属构成，其包括内核金属和表面金属构成的多层结构，其中内核金属和表面金属包括如下任一或其任意组合：银、金、镍、铜。

较佳的，所述电极分布为多圈的环形线结构。

与上述RFID芯片的技术方案对应的，其还公开了一种RFID芯片制作方法，包括如下步骤：

步骤1)准备铜箔A、粘接层B及承载片C；

步骤2)在铜箔上选择性电镀形成电极；

步骤3)贴合铜箔A，粘接层B和承载片C；

步骤4)蚀刻除去没有被电极保护的铜箔，得到独立的封装载体；