[发明专利]用于永久接合晶片的方法

权利要求书

1.将第一基板(1)的第一接触表面(3)接合至第二基板(2)的第二接触表面(4)的方法，该方法具有以下步骤：

- 在所述第一接触表面(3)的表面层(6)中形成贮液槽(5)，其中孔分布随厚度增加而减小趋于零，

- 用第一起始物或第一组起始物至少部分填充该贮液槽(5)，

- 使第一接触表面(3)与第二接触表面(4)接触以形成预接合连接，

- 在所述第一和第二接触表面(3、4)之间形成永久接合，通过使填充在该贮液槽(5)内的第一起始物与第二基板(2)的反应层(7)中含有的第二起始物反应并通过该反应使所述接触表面(3、4)中的至少一个变形来至少部分强化该永久接合。

2.权利要求1的方法，其中该贮液槽(5)是由等离子体活化作用而形成的。

3.权利要求1或2的方法，其中通过将四乙氧基硅烷氧化物层用作表面层(6)而形成贮液槽(5)。

4.如权利要求1的方法，其中表面层(6)由无定形的材料组成，且反应层(7)由可氧化的材料组成。

5.权利要求1的方法，其中第二接触表面(4)与反应层(7)之间存在成长层，所述成长层由天然二氧化硅组成。

6.权利要求1或2的方法，其中所述贮液槽(5)是在真空下形成。

7.权利要求1或2的方法，其中该贮液槽(5)是通过下面列举的步骤中的一个或多个填充的：

- 将第一接触表面(3)暴露于包含去离子的H₂O和/或H₂O₂的流体，和

- 将该第一接触表面(3)暴露于N₂气、O₂气、Ar气和/或包含95% Ar和5% H₂的形成气体。

8.权利要求1或2的方法，其中该贮液槽(5)是以介于0.1nm与25nm之间的平均厚度(R)形成的。

9.权利要求1的方法，其中就在形成永久接合之前贮液槽(5)与反应层(7)之间的平均距离(B)介于0.1nm与15nm之间。