[发明专利]在气相反应器中合成硅-碳复合材料有效
| 申请号： | 201810604877.X | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN109088056B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | J.E.朗;H.维格斯;C.舒尔斯;H.奥尔特纳;J.科瓦塞维奇 | 申请（专利权）人： | 赢创运营有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/587;H01M10/0525;C01B33/029;C01B33/027;C01B32/977 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘维升;杨思捷 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相反 应器中 合成 复合材料 | ||
【权利要求书】：
1.制造硅-SiC复合材料粉末的方法，其特征在于:
a)将气体料流I和同轴气体料流II送入到热壁反应器中，
气体料流I含有至少一种选自SiH4、Si2H6和/或Si3H8的硅烷和含有至少一种选自乙烯和/或乙炔的烃，
同轴气体料流II含有氢气，
其中气体料流II相对于气体料流I形成夹套料流，
并且
b)使至少气体料流I在900℃至1100℃的温度下反应，并随后
在热壁反应器的出口处将反应混合物冷却或使其冷却，并将粉状反应产物与气态物质分离。
2.根据权利要求1所述的方法，其中建立了通过热壁反应器的层流。
3.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤a中在气体料流I中使用乙烯或乙炔并另外使用氩气。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于：在热壁反应器中使用至少两个加热区。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：使第一加热区达到900℃至1010℃的温度，并使第二加热区达到1000℃至1100℃的温度。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：使第二加热区达到1050℃至1100℃的温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赢创运营有限公司，未经赢创运营有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810604877.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：硫锂电池
- 下一篇：一种煅烧有机锡化合物制备锂电池负极添加剂的方法
