[发明专利]半导体晶粒退火方法

说明书

本公开提供一种半导体晶粒退火方法。在此方法中，接收与一半导体晶粒的布局相关的信息。根据所接收的信息，获得在半导体晶粒上的至少一退火轨迹。根据所接收的信息，对半导体晶粒的多个对准记号执行一对准程序。根据对准记号，定位半导体晶粒。沿着退火轨迹投射具有一第一激光参数的一激光束至所定位的半导体晶粒上，以退火所定位的半导体晶粒的一第一部分，第一部分由退火轨迹所覆盖。再者，所定位的半导体晶粒通过退火轨迹被部分地覆盖。

技术领域

本公开涉及一种半导体晶粒退火方法，特别涉及减轻图案负载效应的半导体晶粒退火方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业呈指数成长。在IC材料及IC设计的技术进步产生多个IC世代，每一个IC世代比上一个IC世代有更小及更复杂的电路。在IC发展过程中，工艺可作出的几何尺寸(例如：最小部件(或线路))会下降，而功能密度(例如：每一芯片区域的相连元件数量)通常都会增加。此微缩过程通过增加生产效率及降低相关成本提供了优势。此微缩亦增加了IC工艺及制造的复杂性，为实现这些进步，需要在IC工艺及制造有相似的发展。

发明内容

本公开提供了一种半导体晶粒退火方法。此半导体晶粒退火方法包括接收与一半导体晶粒的布局相关的信息；根据所接收的所述信息，获得在所述半导体晶粒上的至少一退火轨迹；根据所接收的所述信息，对所述半导体晶粒的多个对准记号执行一对准程序；根据所述对准记号，定位所述半导体晶粒；以及沿着所述退火轨迹投射具有一第一激光参数的一激光束至所定位的所述半导体晶粒上，以退火所定位的所述半导体晶粒的一第一部分，所述第一部分由所述退火轨迹所覆盖，其中所定位的所述半导体晶粒通过所述退火轨迹被部分地覆盖。

本公开提供了一种晶圆退火系统。此晶圆退火系统包括一晶圆载台；一激光束产生器，被配置以产生一激光束；以及一控制器，被配置以根据与一晶圆的一第一半导体晶粒的布局相关的信息控制所述激光束，以沿着至少一退火轨迹投射具有一第一激光参数的所述激光束至在所述晶圆载台上的所述晶圆的所述第一半导体晶粒上，其中所述控制器被配置以设置所述退火轨迹，以部分地覆盖所述晶圆的所述第一半导体晶粒，并且不覆盖所述晶圆的多个第二半导体晶粒。

本公开提供了一种晶圆退火方法。此晶圆退火方法包括接收与一晶圆的一第一半导体晶粒的布局相关的信息；根据所接收的所述信息获得在所述第一半导体晶粒上的至少一退火轨迹；以及沿着所述退火轨迹投射具有一第一激光参数的一激光束至所定位的所述第一半导体晶粒上，以退火所述第一半导体晶粒的一第一部分，所述第一部分通过所述退火轨迹被覆盖，其中所述晶圆的所述第一半导体晶粒由所述退火轨迹所部分地覆盖，并且所述晶圆的多个第二半导体晶粒没有通过所述退火轨迹被覆盖。

附图说明

本发明的观点从后续实施例以及附图可以优选理解。须知示意图为范例，并且不同特征并无示意。不同特征的尺寸可能任意增加或减少以清楚论述。

图1为根据本公开实施例的用于退火晶圆的系统的示意图。

图2为根据本公开实施例的退火图1的晶圆的半导体晶粒的方法的流程图。

图3为根据本公开实施例的晶圆的俯视图。

图4为根据本公开实施例的晶圆的半导体晶粒的俯视图。

图5为根据本公开实施例的图4的半导体晶粒的退火图案的俯视图。

图6A为根据本公开实施例的被图5的退火图案覆盖的半导体晶粒的半导体装置的放大俯视图。

图6B为根据本公开实施例的图6A的晶体管M1的剖面图的示意图。

附图标记说明：

100～系统

10～晶圆

15～半导体晶粒

20～晶圆载台