[发明专利]纳米管晶体管结构和纳米管反相器结构有效
| 申请号： | 201810605874.8 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110600546B | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 杨柏宇 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L29/78;H01L27/092;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 晶体管 结构 管反相器 | ||
1.一种晶体管结构，其特征在于 ，包含：
基底；
第一纳米管，设置于该基底上；
第一栅极线，横跨并环绕该第一纳米管，该第一栅极线具有第一末端和第二末端；
第二栅极线，横跨并环绕该第一纳米管，该第二栅极线具有第三末端和第四末端；
第三栅极线，横跨并环绕该第一纳米管，其中该第一栅极线设置在该第二栅极线和该第三栅极线之间，该第三栅极线包含第五末端和第六末端，其中在该第一栅极线与该第二栅极线之间没有任何栅极线，在该第一栅极线与该第三栅极线之间没有任何栅极线；以及
层间介电层，包覆该第一末端、该第二末端、该第三末端和该第四末端；其中该第一末端和该第一纳米管之间的一第一距离小于该第三末端和该第一纳米管之间的一第三距离，且该第一距离小于该第五末端和该第一纳米管之间的一第五距离。
2.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该第二末端和该第一纳米管之间的一第二距离等于该第四末端和该第一纳米管之间的一第四距离。
3.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该第二末端和该第一纳米管之间的一第二距离小于该第四末端和该第一纳米管之间的一第四距离。
4.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该第一末端和该第三末端在该第一纳米管的同侧。
5.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该第二末端和该第一纳米管之间的一第二距离等于该第六末端和该第一纳米管之间的一第六距离。
6.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该第二末端和该第一纳米管之间的一第二距离小于该第六末端和该第一纳米管之间的一第六距离。
7.如权利要求1所述的晶体管结构，其中在和该第一纳米管的重叠处的该第一栅极线构成一栅极结构。
8.如权利要求7所述的晶体管结构，其中该层间介电层包含伸张应力，该栅极结构为N型晶体管的栅极结构。
9.如权利要求7所述的晶体管结构，其中该层间介电层包含压缩应力，该栅极结构为P型晶体管的栅极结构。
10.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该基底包含一上表面，一垂直方向和该上表面垂直，该晶体管结构另包含第二纳米管，设置于该基底上，并且在该垂直方向上和该第一纳米管完全重叠。
11.一种晶体管结构，其特征在于，包含：
基底；
第一纳米管，设置于该基底上；
第一栅极线，横跨并环绕该第一纳米管，该第一栅极线具有第一末端和第二末端；
第二栅极线，横跨并环绕该第一纳米管，该第二栅极线具有第三末端和第四末端；
第三栅极线，横跨并环绕该第一纳米管，其中该第一栅极线设置在该第二栅极线和该第三栅极线之间，该第三栅极线包含第五末端和第六末端，其中在该第一栅极线与该第二栅极线之间没有任何栅极线，在该第一栅极线与该第三栅极线之间没有任何栅极线；以及
层间介电层，包覆该第一末端、该第二末端、该第三末端和该第四末端；其中该第一末端和该第一纳米管之间的一第一距离大于该第三末端和该第一纳米管之间的一第三距离，且该第一距离大于该第五末端和该第一纳米管之间的一第五距离。
12.如权利要求11所述的晶体管结构，其中在和该第一纳米管的重叠处的该第一栅极线构成一栅极结构。
13.如权利要求12所述的晶体管结构，其中该层间介电层包含伸张应力，该栅极结构为P型晶体管的栅极结构。
14.如权利要求12所述的晶体管结构，其中该层间介电层包含压缩应力，该栅极结构为N型晶体管的栅极结构。
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