[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层，其特征在于，所述底电极、所述量子点发光层和所述顶电极的表面均为褶皱表面。

2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管为顶发射型量子点发光二极管或底发射型量子点发光二极管。

3.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极，且所述底电极和所述量子点发光层之间层叠设置有呈褶皱表面的空穴功能层，所述顶电极和所述量子点发光层之间层叠设置有呈褶皱表面的电子功能层；或

所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极，且所述底电极和所述量子点发光层之间层叠设置有呈褶皱表面的电子功能层，所述顶电极和所述量子点发光层之间层叠设置有呈褶皱表面的空穴功能层。

4.如权利要求1-3任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述底电极设置在基板上，且所述底电极和所述基板之间设置有褶皱结构层。

5.如权利要求4所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述褶皱结构层的制备原料选自Alq3、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、四氰基醌二甲烷、四氰基醌二甲烷衍生物和富勒烯衍生物中的至少一种；和/或

所述褶皱结构层的厚度为60-100nm。

6.如权利要求5所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述四氰基醌二甲烷衍生物选自四溴四氰基醌二甲烷、2-氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷、四氯四氰基醌二甲烷、二氯二溴四氰基醌二甲烷、四硝基四氰基醌二甲烷、四氰乙基四氰基醌二甲烷、四氨基四氰基醌二甲烷中的至少一种；和/或

所述富勒烯衍生物选自富勒烯羧酸衍生物、富勒烯氨基衍生物、富勒烯胺基衍生物、富勒烯羟基衍生物、富勒烯醛基衍生物、富勒烯酯基衍生物、富勒烯羰基衍生物中的至少一种。

7.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基板；

在所述基板上制备一褶皱结构层；

在所述褶皱结构层上制备呈褶皱表面的底电极；

在所述底电极上制备呈褶皱表面的量子点发光层；

在所述量子点发光层上制备呈褶皱表面的顶电极。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述基板上制备一褶皱结构层的步骤包括：将具有偶极子的活性材料沉积在所述基底上，然后置于气态的烯酸酯中进行化合反应，得到表面含有纳米孔洞的所述褶皱结构层。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述具有偶极子的活性材料选自Alq3、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、四氰基醌二甲烷、四氰基醌二甲烷衍生物和富勒烯衍生物中的至少一种；和/或

所述烯酸酯选自丙烯酸甲酯和丙烯酸乙酯中的至少一种；和/或

所述具有偶极子的活性材料与所述烯酸酯的摩尔比为1：1-2；和/或

所述褶皱结构层的厚度为60-100nm。

10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述四氰基醌二甲烷衍生物选自四溴四氰基醌二甲烷、2-氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷、四氯四氰基醌二甲烷、二氯二溴四氰基醌二甲烷、四硝基四氰基醌二甲烷、四氰乙基四氰基醌二甲烷、四氨基四氰基醌二甲烷中的至少一种；和/或

所述富勒烯衍生物选自富勒烯羧酸衍生物、富勒烯氨基衍生物、富勒烯胺基衍生物、富勒烯羟基衍生物、富勒烯醛基衍生物、富勒烯酯基衍生物、富勒烯羰基衍生物中的至少一种。