[发明专利]空调器和集成式空调控制器

说明书

本发明公开了一种空调器和集成式空调控制器，其中，控制器包括：基板；形成在基板之上的器件层，器件层包括：设置在基板之上的整流桥；设置在基板之上且与整流桥相连的功率因数校正PFC电路；设置在基板之上驱动压缩机的压缩机驱动电路；设置在基板之上驱动风机的风机驱动电路；驱动压缩机驱动电路的压缩机控制芯片；以及驱动风机驱动电路的风机控制芯片，其中，整流桥、PFC电路、压缩机驱动电路、风机驱动电路中的器件之下设置有与器件相连的金属布线，金属布线之间通过金属跳线相连。由此，通过设置有与器件相连的金属布线，并通过金属跳线相连，节省器件层占用体积，从而减小空调控制器体积，并降低制造成本。

技术领域

本发明涉及电控技术领域，特别涉及一种集成式空调控制器以及一种空调器。

背景技术

目前，变频空调室外电控板主要包括整流桥、PFC开关、压缩机IPM(IntelligentPower Module，智能功率模块)、风机IPM这四种功率器件。相关技术的变频空调室外电控板上的这四种功率器件可通过集成的方式进行设置。

相关技术的变频空调室外电控板上的这四种功率器件采用各自插针式安装在PCB板上，然后用同一块散热器(翅片)进行集中散热。但是通过上述四种功率器件各自采用插针式安装在PCB板上的安装方式，会导致变频空调室外电控板的体积较大，而且部分插针安装成本较高。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决上述技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种集成式空调控制器，通过设置有与器件相连的金属布线，并通过金属跳线相连，节省器件层占用体积，从而减小空调控制器体积，并降低制造成本。

本发明的第二个目的在于提出一种空调器。

为达到上述目的，本发明第一方面实施例提出的集成式空调控制器包括：基板；形成在所述基板之上的器件层，所述器件层包括：设置在所述基板之上的整流桥；设置在所述基板之上且与整流桥相连的功率因数校正PFC电路，其中，所述PFC电路包括PFC开关管和PFC二极管；设置在所述基板之上驱动压缩机的压缩机驱动电路，其中，所述压缩机驱动电路包括第一至第六开关管以及与所述第一至第六开关管并联的第一至第六快速恢复二极管；设置在所述基板之上驱动风机的风机驱动电路，所述风机驱动电路包括第一至第六逆导IGBT；驱动所述压缩机驱动电路的压缩机控制芯片，所述压缩机控制芯片设置在所述基板之上且与所述压缩机驱动电路相连；以及驱动所述风机驱动电路的风机控制芯片，所述风机控制芯片设置在所述基板之上且与所述风机驱动电路相连，其中，所述整流桥、所述PFC电路、所述压缩机驱动电路、所述风机驱动电路中的器件之下设置有与所述器件相连的金属布线，所述金属布线之间通过金属跳线相连。

根据本发明实施例的集成式空提控制器，通过设置有与器件相连的金属布线，并通过金属跳线相连，节省器件层占用体积，从而减小空调控制器体积，并降低制造成本。

另外，根据本发明上述实施例提出的集成式空调控制器还可以具有如下附加的技术特征：

根据本发明的一个实施例，所述器件层还包括：微控制器，所述微控制器设置在所述基板之上，且所述微控制器与所述压缩机控制芯片和风机控制器相连。

根据本发明的一个实施例，所述PFC开关管包括SiC MOSFET、SiC IGBT或者GaN材料的HEMT器件，PFC二极管为Si材料制器件。

根据本发明的一个实施例，所述第一至第六开关管包括SiC MOSFET、SiC IGBT或者GaN材料的HEMT器件，所述第一至第六快速恢复二极管为Si材料制器件。

根据本发明的一个实施例，所述第一至第六逆导IGBT为Si材料制器件。

根据本发明的一个实施例，所述的集成式空调控制器还包括：覆盖且包围所述器件层的填充层；形成在所述填充层之上的散热板。