[发明专利]掩模辅助图案设置方法及掩模版在审
| 申请号： | 201810606834.5 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110597011A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;G03F1/76 |
| 代理公司： | 11313 北京市铸成律师事务所 | 代理人： | 张臻贤;李够生 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 关键图案 光刻掩模 辅助图案 图案 区块 边界设置 光学临近修正 优先级设置 工艺窗口 光刻胶 掩模版 子图案 掩模 转印 邻近 保证 | ||
1.一种掩模辅助图案设置方法，其特征在于，包括：
提供光刻掩模图案，所述光刻掩模图案具有关键图案，所述关键图案用于光刻时在晶圆上形成接触区；
将所述光刻掩模图案划分为多个区块；确定所述关键图案所在的所述区块；将所述关键图案所在的所述区块对应的所述光刻掩模图案的边界作为主要边界，并将除所述主要边界之外的边界作为次要边界；
设定光学临近修正的优先级，包括：所述主要边界设置为第一优先级以及所述次要边界设置为第二优先级，其中，所述第一优先级高于所述第二优先级；以及
根据优先级设置辅助图案，包括：在邻近具有所述第一优先级的所述主要边界的区域中设置所述辅助图案的第一优先子图案，所述第一优先子图案用于优化所述关键图案和所述主要边界在光刻过程中的工艺窗口。
2.如权利要求1所述的掩模辅助图案设置方法，其特征在于，在设置所述辅助图案的步骤中，还包括：
在邻近具有所述第二优先级的所述次要边界的区域中设置所述辅助图案的第二优先子图案，其中所述第二优先子图案的设置不干扰所述第一优先子图案的设置。
3.如权利要求2所述的掩模辅助图案设置方法，其特征在于，所述第一优先子图案与所述主要边界之间的间隙距离小于所述第二优先子图案的端部至所述主要边界的距离。
4.如权利要求1所述的掩模辅助图案设置方法，其特征在于，相邻的两所述主要边界之间的区域中设置至少一个所述第一优先子图案，且所述第一优先子图案位于两所述主要边界之间的区域中间位置。
5.如权利要求1所述的掩模辅助图案设置方法，其特征在于，所述辅助图案包含散射条。
6.如权利要求1所述的掩模辅助图案设置方法，其特征在于，设置在所述主要边界外围的所述第一优先子图案的长度不小于所述关键图案的平行向长度。
7.如权利要求1所述的掩模辅助图案设置方法，其特征在于，所述辅助图案的分辨率低于所述光刻掩模图案的分辨率。
8.一种掩模版，其特征在于，包括：
光刻掩模图案，具有关键图案，所述关键图案用于光刻时在晶圆上形成接触区；以及
采用上述权利要求1-7任一项所述方法设置的辅助图案。
9.如权利要求8所述的掩模版，其特征在于，所述辅助图案采用矩形结构。
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