[发明专利]一种无磁场电子束自激辐射高功率微波器件

权利要求书

1.一种无磁场电子束自激辐射高功率微波器件，其特征在于包括阳极外筒、设置在阳极外筒内且与阳极外筒共轴的同轴内导体，所述阳极外筒与同轴内导体形成一封闭谐振腔，所述阳极外筒的一端设置有引导强流电子束进入谐振腔内的环形孔，谐振腔内的电子束进行轴向传输时，在径向电场力和束流自身形成的磁场箍缩力共同作用下电子束直径出现周期性振荡变化，产生自激振荡高功率微波辐射，器件产生高功率微波的过程不需要外加引导磁场对电子束进行调控。

2.根据权利要求1所述的一种无磁场电子束自激辐射高功率微波器件，其特征在于所述谐振腔包括预调制谐振腔，所述预调制谐振腔在电子束进行自激振荡前进行预调制，并提高微波输出效率。

3.根据权利要求2所述的一种无磁场电子束自激辐射高功率微波器件，其特征在于预调制谐振腔包括用于引导电子束轴向传输的金属薄片，所述金属薄片垂直设置在阳极外筒内壁和同轴内导体上。

4.根据权利要求1所述的一种无磁场电子束自激辐射高功率微波器件，其特征在于电子束的往复自激振荡在磁场箍缩力和电场力平衡的状态下发生。

5.根据权利要求1所述的一种无磁场电子束自激辐射高功率微波器件，其特征在于所述谐振腔端面设置有环形孔，电子束经环形孔并通过阴阳极之间的电场力传输至谐振腔内，所述环形孔能使电子束重频进入谐振腔内并产生重频高功率微波。

6.根据权利要求1所述的一种无磁场电子束自激辐射高功率微波器件，其特征在于所述同轴内导体设置有用于增强电子束箍缩效应的凸起结构，所述凸起结构能使电子束在该位置实现稳定的径向振荡，实现频率稳定的高功率微波产生。

7.根据权利要求1所述的一种无磁场电子束自激辐射高功率微波器件，其特征在于所述谐振腔内设置有强流电子束吸收体，所述强流电子束吸收体与同轴内导体相互垂直连接，并且强流电子吸收体与同轴内导体等电位。