[发明专利]一种末端全反射高功率微波器件

权利要求书

1.一种末端全反射高功率微波器件，包括高功率微波器件、设置在器件内的束波互作用区、在束波互作用区中传输的环形强流电子束、内波导和在内波导中传输的高功率微波，其特征在于所述环形强流电子束传输末端为封闭结构，高功率微波经末端封闭结构反射，通过内波导一端的微波注入口耦合入内波导；

所述器件的束波互作用区为同轴慢波结构，同轴慢波结构为矩形结构，所述同轴慢波结构的周期长度为4mm，同轴慢波结构的周期深度为4mm；

所述同轴慢波结构包括外慢波结构、与外慢波结构同轴的内慢波结构；

所述外慢波结构和内慢波结构之间的周期结构相互交错分布，构成叉指排列。

2.根据权利要求1所述的一种末端全反射高功率微波器件，其特征在于所述外慢波结构和内慢波结构之间形成传输通道，环形强流电子束在传输通道中进行传输，所述外慢波结构和内慢波结构的同一端连接，在环形强流电子束的传输末端形成全封闭结构。

3.根据权利要求1所述的一种末端全反射高功率微波器件，其特征在于所述内慢波结构和外慢波结构均包括两段慢波结构，且两段慢波结构之间的距离为20mm，其中一段慢波结构具有4个慢波结构周期，另一段慢波结构具有6个慢波结构周期。

4.根据权利要求1所述的一种末端全反射高功率微波器件，其特征在于所述高功率微波的频率为30GHz。

5.根据权利要求1所述的一种末端全反射高功率微波器件，其特征在于所述内波导为圆波导，所述微波注入口为喇叭状结构，微波注入口与圆波导之间平滑过渡连接。