[发明专利]半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体封装件的方法，所述方法包括：

在半导体器件的芯片焊盘上形成覆盖图案，其中，半导体器件包括暴露芯片焊盘的一部分的钝化图案，覆盖图案覆盖芯片焊盘；以及

在覆盖图案上形成再分布层，

其中，形成再分布层的步骤包括：在覆盖图案和钝化图案上形成第一绝缘图案；通过对第一绝缘图案执行曝光工艺和显影工艺来在第一绝缘图案中形成第一开口，其中，第一开口暴露覆盖图案的一部分；以及在第一开口中形成再分布图案。

2.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

将半导体器件设置在载体基底上，其中，覆盖图案面对载体基底；

在载体基底和半导体器件上形成模制图案，其中，模制图案覆盖半导体器件；以及

通过去除载体基底来暴露模制图案的底表面和覆盖图案，

其中，再分布层形成在暴露的覆盖图案和模制图案的暴露的底表面上。

3.如权利要求2所述的方法，其中，第一绝缘图案与模制图案的底表面直接接触。

4.如权利要求2所述的方法，所述方法还包括在载体基底上形成导电结构，

其中，再分布层延伸到导电结构的底表面上，并接触导电结构。

5.如权利要求2所述的方法，所述方法还包括在模制图案的顶表面上形成上再分布图案。

6.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

将半导体器件设置在连接基底的孔中，

其中，孔穿过连接基底，并且

再分布层延伸到连接基底上。

7.如权利要求1所述的方法，其中，形成覆盖图案的步骤包括：

在钝化图案和芯片焊盘上形成种子层；

在种子层上形成抗蚀剂层；以及

通过对种子层执行电镀工艺来在种子层的被抗蚀剂层暴露的部分上形成导电图案。

8.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

蚀刻钝化图案以暴露芯片焊盘的所述一部分，其中，在蚀刻钝化图案之前，钝化图案覆盖芯片焊盘的所述一部分；以及

通过对芯片焊盘的暴露的部分执行热处理工艺来从芯片焊盘去除杂质。

9.一种制造半导体封装件的方法，所述方法包括：

准备半导体器件，所述半导体器件包括芯片焊盘、钝化图案和覆盖图案，其中，钝化图案包括暴露芯片焊盘的一部分的开口，其中，覆盖图案位于开口中并覆盖芯片焊盘；

将半导体器件设置在再分布层上；以及

通过在覆盖图案与再分布层之间形成连接件来将芯片焊盘电连接到再分布层。

10.如权利要求9所述的方法，其中，连接件与覆盖图案直接接触，并与芯片焊盘间隔开。

11.如权利要求9所述的方法，所述方法还包括在再分布层上形成模制图案，其中，模制图案覆盖半导体器件。

12.如权利要求9所述的方法，所述方法还包括在再分布层上设置具有孔的连接基底，

其中，半导体器件设置在连接基底的孔中。

13.如权利要求9所述的方法，所述方法还包括通过在再分布层上设置金属柱来形成导电结构，

其中，导电结构电连接到再分布层。

14.如权利要求9所述的方法，所述方法还包括通过在载体基底上形成绝缘图案和再分布图案来形成再分布层，

其中，绝缘图案包括光敏聚合物。

15.如权利要求9所述的方法，所述方法还包括蚀刻钝化图案以形成所述开口。