[发明专利]提高抗污膜的附着力的方法在审
申请号: | 201810609062.0 | 申请日: | 2018-06-13 |
公开(公告)号: | CN110465203A | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 徐逸明 | 申请(专利权)人: | 馗鼎奈米科技股份有限公司 |
主分类号: | B01D67/00 | 分类号: | B01D67/00;B01D69/12 |
代理公司: | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 中国台湾台南市永康区亚*** | 国省代码: | 中国台湾;TW |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改质 抗污 镀膜 附着力 官能基 前驱物 氧分子 硅碳 基板 氢氧 镀膜表面 烘烤 键结 制程 | ||
1.一种提高抗污膜的附着力的方法,其特征在于,该提高抗污膜的附着力的方法包含:
提供一基板;
形成一改质镀膜于该基板的一表面上,其中形成该改质镀膜时包含使用一前驱物,该前驱物包含硅碳氧分子;
涂布一抗污分子于该改质镀膜上;以及
进行一烘烤制程。
2.根据权利要求1的提高抗污膜的附着力的方法,其特征在于,该基板为一非玻璃基板、或一镀膜表面不具氧化硅层的一基板。
3.根据权利要求1的提高抗污膜的附着力的方法,其特征在于,形成该改质镀膜时包含利用一大气电浆沉积制程,且该前驱物包含气体或液体。
4.根据权利要求1的提高抗污膜的附着力的方法,其特征在于,该改质镀膜包含氧化硅。
5.根据权利要求1的提高抗污膜的附着力的方法,其特征在于,该改质镀膜包含二氧化硅、氧化硅、及/或碳氧化硅。
6.根据权利要求1的提高抗污膜的附着力的方法,其特征在于,形成该改质镀膜时包含形成多个氢氧官能基于该改质镀膜的一表面上。
7.根据权利要求1的提高抗污膜的附着力的方法,其特征在于,进行该烘烤制程时包含将一烘烤温度控制在50℃至200℃。
8.根据权利要求1的提高抗污膜的附着力的方法,其特征在于,于形成该改质镀膜前,该提高抗污膜的附着力的方法还包含对该基板的该表面进行一大气电浆清洁处理。
9.根据权利要求1的提高抗污膜的附着力的方法,其特征在于,于形成该改质镀膜后,该提高抗污膜的附着力的方法还包含对该改质镀膜进行一大气电浆改质处理,以在该改质镀膜的一表面上形成多个氢氧官能基。
10.根据权利要求1的提高抗污膜的附着力的方法,其特征在于,该改质镀膜的厚度等于或小于100纳米。
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