[发明专利]一种LED光电玻璃基板

权利要求书

1.一种LED光电玻璃基板，其特征在于，所述LED光电玻璃基板由基体、背电极层、光电转化层、传输层、缓冲层和阴极层组成，背电极层设置在基体外表面，光电转化层设置在背电极层外，光电转化层外设置传输层，传输层外设置缓冲层，缓冲层外设置阴极层，其中：

背电极层由纳米银粒材涂覆制备；

光电转化层由三卤化甲胺铅沉积制备；

传输层由聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐涂覆制备；

缓冲层由氟化锂，8-羟基喹啉铝或2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉中的任意一种制备；

阴极层由氟改性二氧化锡沉积制备。

2.根据权利要求1所述的一种LED光电玻璃基板，其特征在于，所述基体为二氧化硅玻璃基体，且二氧化硅玻璃表面经3-氨丙基三乙氧基硅烷和3-氨丙基三甲氧基硅氧烷的混合液活化处理。

3.根据权利要求2所述的一种LED光电玻璃基板，其特征在于，所述混合液中3-氨丙基三乙氧基硅烷和3-氨丙基三甲氧基硅氧烷的质量比为1：（0.7～1.1），两者相加的总质量浓度为35～45wt%。

4.根据权利要求1所述的一种LED光电玻璃基板，其特征在于，所述三卤化甲胺铅为三碘化甲胺铅，三溴化甲胺铅和三氯化甲胺铅中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的一种LED光电玻璃基板，其特征在于，所述传输层由25～45wt%的聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐丙三醇或山梨醇溶液涂覆在光电转化层外干化，并在15%湿度以下干燥器中干燥28～34h后热压印加工制得。

6.根据权利要求1所述的一种LED光电玻璃基板，其特征在于，所述缓冲层若由氟化锂制备，其厚度为0.8～1.8nm，所述缓冲层若由8-羟基喹啉铝制备，其厚度为2.8～3.5nm，所述缓冲层若由2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉制备，其厚度为8～11nm。

7.根据权利要求1所述的一种LED光电玻璃基板，其特征在于，所述氟改性二氧化锡中氟含量为2～5wt%。