[发明专利]一种半导体芯片封装阵列和半导体芯片封装器件在审
申请号: | 201810609562.4 | 申请日: | 2018-06-13 |
公开(公告)号: | CN109037183A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 王洪辉;戴颖 | 申请(专利权)人: | 南通通富微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L21/48 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 贾凤涛 |
地址: | 226000 江苏省南通市苏通科技产*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体芯片封装 承载单元 第二表面 引线框架 第一表面 延伸 芯片 电镀层 塑封层 塑封料 半导体封装器件 凹槽连接 电性连接 矩阵排列 焊锡 攀爬 通孔 引脚 填充 申请 相通 | ||
1.一种半导体芯片封装阵列,其特征在于,包括:
引线框架,所述引线框架包括:多个矩阵排列的承载单元、自引线框架的第一表面向第二表面延伸的第一凹槽、自所述第二表面向第一表面延伸的第二凹槽、自所述第二表面向第一表面延伸的第三凹槽,其中,所述第一凹槽与所述第二凹槽相通以形成通孔,所述第三凹槽连接相邻的承载单元;
芯片,所述芯片设置在所述承载单元上,且与所述承载单元电性连接;
塑封层,塑封料将芯片和至少部分所述承载单元包裹,所述第一凹槽和所述第二凹槽被所述塑封料填充,以构成所述塑封层;
电镀层,所述电镀层设置在所述引线框架的第二表面,且延伸入所述第三凹槽。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片封装阵列,其特征在于,
所述承载单元设置有以所述通孔间隔的基岛和引脚,所述引脚包括位于所述金属板的第一表面一侧的内引脚和位于所述金属板的第二表面一侧的外引脚,所述芯片通过导线电性连接所述内引脚。
3.根据权利要求2所述的半导体芯片封装阵列,其特征在于,
所述内引脚的表面设有金属层,所述导线电性连接所述芯片与所述金属层。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片封装阵列,其特征在于,
所述承载单元设置有以所述通孔间隔的引脚,所述引脚包括位于所述金属板的第一表面一侧的内引脚和位于所述金属板的第二表面一侧的外引脚,所述芯片表面设置有凸柱,所述凸柱电性连接所述通孔周围的所述内引脚。
5.根据权利要求1至4任一项所述的半导体芯片封装阵列,其特征在于,所述塑封层由一个或多个塑封体构成,单个所述塑封体内包含多个矩阵排列的承载单元。
6.根据权利要求1-4任一项所述的半导体芯片封装阵列,其特征在于,所述塑封层由矩阵排列的多个分立的塑封体构成,且所述塑封体与承载单元一一对应。
7.根据权利要求6所述的半导体芯片封装阵列,其特征在于,相邻所述塑封体间的间距大于所述第三凹槽。
8.根据权利要求2-4任一项所述的半导体芯片封装阵列,其特征在于,所述引脚在沿所述第二凹槽、所述第三凹槽连线方向的竖向截面为T形。
9.一种半导体芯片封装器件,其特征在于,包括:
引线框架,包括自所述引线框架的第一表面向第二表面延伸的第一凹槽、自所述第二表面向第一表面延伸的第二凹槽、自所述第二表面向第一表面延伸的第三凹槽,其中,所述第一凹槽与所述第二凹槽相通以形成通孔,所述第三凹槽位于所述引线框架的边缘;
芯片,电性连接所述引线框架;
塑封层,塑封料将所述引线框架的全部或部分所述第一侧面、以及所述芯片包裹,所述第一凹槽和所述第二凹槽被所述塑封料填充,以构成所述塑封层;
电镀层,所述电镀层设置在所述引线框架的第二表面,且延伸入所述第三凹槽。
10.根据权利要求9所述的半导体封装器件,其特征在于,
所述引线框架包括基岛和位于所述基岛周围的引脚,所述引脚包括位于所述第一表面一侧的内引脚和位于所述第二表面一侧的外引脚,所述基岛和引脚之间以所述通孔间隔,所述芯片安装于所述基岛上,且所述芯片通过导线与所述内引脚电性连接。
11.根据权利要求10所述的半导体封装器件,其特征在于,所述内引脚的表面形成有金属层,所述芯片通过导线与所述金属层电性连接。
12.根据权利要求9所述的半导体封装器件,其特征在于,
所述引线框架包括以所述通孔间隔的引脚,所述引脚包括位于所述第一表面一侧的内引脚和位于所述第二表面一侧的外引脚,所述芯片表面设置有凸柱,所述凸柱电性连接所述通孔周围的所述内引脚。
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