[发明专利]带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测方法及终端设备

权利要求书

1.一种带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测方法，利用单频电磁辐射敏感度试验确定受试用频装备的单频电磁辐射临界干扰场强随辐射频偏的变化曲线，其特征在于，包括：

根据所述用频装备工作频率从所述变化曲线上选取三个带外基础频点，将所述三个带外基础频点两两组合，获得三阶互调新频率；

若获得的三阶互调新频率均在所述用频装备的工作频带内，则根据获得的三阶互调新频率进行带外三阶互调临界阻塞干扰效应试验，获得临界干扰场强组合；

根据获得的临界干扰场强组合，确定所述三个带外基础频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子；

根据所述三个带外基础频点之一和预设带外频点，获得三阶互调新频率，若获得的三阶互调新频率在所述用频装备的工作频带内，则根据获得的三阶互调新频率进行带外三阶互调临界阻塞干扰效应试验，获得临界干扰场强组合，根据获得的临界干扰场强组合确定所述预设带外频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子；

根据所述三个带外基础频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子、所述预设带外频点对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子和干扰场强组合，确定三阶互调阻塞干扰效应指数，根据所述三阶互调阻塞干扰效应指数评估所述用频装备的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰效应。

2.如权利要求1所述的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测方法，其特征在于，还包括：

根据表达式和确定所述三个带外基础频点f₁、f₂、f₃对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子α₁、α₂和α₃，其中，[E₁(f₁、f₂)、E₂(f₁、f₂)]、[E₁(f₁、f₃)、E₃(f₁、f₃)]和[E₂(f₂、f₃)、E₃(f₂、f₃)]为确定的临界干扰场强组合，E₀₀为所述用频装备工作频率对应的单频电磁辐射临界干扰场强，E_f0为干扰信号频率为2f₁-f₂时的单频临界干扰场强，E₁₀、E₂₀、E₃₀分别为干扰信号频率为f₁、f₂、f₃时的单频临界干扰场强。

3.如权利要求1所述的带外电磁辐射三阶互调阻塞干扰预测方法，其特征在于，还包括：

根据表达式确定所述预设带外频点f₄对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子α₄，其中，α₃为所述三个带外基础频点中一个带外基础频点f₃对应频偏的三阶互调阻塞干扰因子，E₀₀为所述用频装备工作频率对应的单频电磁辐射临界干扰场强，E′_f0为干扰信号频率为2f₃-f₄时的单频临界干扰场强，[E₃(f₃、f₄)、E₄(f₃、f₄)]为确定的临界干扰场强组合，E₃₀、E₄₀分别为干扰信号频率为f₃、f₄时的单频临界干扰场强。