[发明专利]一种钛酸铋钠基高储能密度陶瓷材料及其制备方法在审
申请号: | 201810609790.1 | 申请日: | 2018-06-13 |
公开(公告)号: | CN108774060A | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
发明(设计)人: | 杨海波;刘鹏飞;林营;闫非 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | C04B35/453 | 分类号: | C04B35/453;C04B35/622;C04B41/88 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 安彦彦 |
地址: | 710021 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 钛酸铋钠基 密度陶瓷 高储能 制备 陶瓷材料制备 乳化剂混合 储能特性 电滞回线 流延成型 摩尔分数 陶瓷材料 有机溶剂 原料粉体 烧结 分散剂 增塑剂 粘结剂 裁切 储能 粉体 排胶 球磨 叠加 加压 | ||
一种钛酸铋钠基高储能密度陶瓷材料及其制备方法,首先按照化学式Bi0.5‑xLax(Na0.82K0.18)0.5(Al0.5Nb0.5)0.08Ti0.9Zr0.02O3进行配料,其中x表示La3+的摩尔分数,且0≤x≤0.08;经球磨、干燥后获得粉体;将有机溶剂和乳化剂混合均匀,然后加入原料粉体、粘结剂、分散剂和增塑剂,并混合均匀,进行流延成型,然后裁切和叠加、加压、排胶、烧结,得到钛酸铋钠基高储能密度陶瓷材料。本发明的陶瓷材料制备工艺简单、稳定,适合工业化生产,其储能特性优良。基于电滞回线计算,该陶瓷材料在室温下的储能密度可达2.3J/cm3以上。
技术领域
本发明属于储能陶瓷领域,具体是一种钛酸铋钠基高储能密度陶瓷材料及其制备方法。
背景技术
随着信息技术的不断发展,目前储能元件不断向高电压,大电流和高储能密度方向的发展,储能介质也不断向更高的介电性能的方向发展。按照这一发展趋势,制备出高介电常数,高击穿强度的储能介质材料成了储能介质材料发展的目标。
线性电介质、铁电材料和反铁电材料是目前三种典型的用于储能的陶瓷电介质。在这些储能材料中,线性电介质拥有小的介电常数和高的击穿电场,然而他的饱和极化强度太低,导致储能密度不高;反铁电体更有可能被用于高能量储存,因为它们的饱和极化强度更大,更小的剩余极化强度和合适的击穿电场。然而,大多数的反铁电材料都是含铅的材料,它们对环境不友好。随着环境质量的提高和人类健康的要求,那些对环境有害的材料需要用无铅材料代替。作为有毒含铅储能陶瓷材料的替代品,铁电材料Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)陶瓷,最近受到了极大的关注,因为它具有大的饱和极化强度和强大的介电性能,且BNT中的Bi3+与Pb2+具有类似的孤对电子6s2配置。因此,通过合适的掺杂可以获得高储能密度的陶瓷材料。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中存在的缺陷,提供一种钛酸铋钠基高储能密度陶瓷材料及其制备方法,这种陶瓷材料的储能密度以及介电常数的温度稳定性优异,并且具有环境友好、实用性高等特性。
为实现上述目的,本发明采用如下的技术方案:
一种钛酸铋钠基高储能密度陶瓷材料的制备方法,包括以下步骤:
(1)按照化学式Bi0.5-xLax(Na0.82K0.18)0.5(Al0.5Nb0.5)0.08Ti0.9Zr0.02O3进行配料并混合均匀,得到原料粉体,其中x表示La3+的摩尔分数,且0≤x≤0.08;以无水乙醇为介质,经球磨、干燥、预烧后获得粉体A;
(2)流延浆料的制备:将有机溶剂和乳化剂混合均匀,然后加入步骤(1)获得的粉体A、粘结剂、分散剂和增塑剂,并混合均匀,得到流延浆料;
(3)生坯的制备:将步骤(2)中获得的流延浆料采用流延成型的方法进行流延成型,然后叠加,并在150~200MPa压力下进行加压,得到陶瓷材料生坯;
(4)将步骤(3)制备的陶瓷材料生坯试样进行排胶处理,然后烧结成瓷,得到钛酸铋钠基高储能密度陶瓷材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西科技大学,未经陕西科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810609790.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。