[发明专利]半导体封装件和方法

说明书

在实施例中，器件包括：背侧再分布结构，背侧再分布结构包括：金属化图案，位于第一介电层上；以及第二介电层，位于金属化图案上；通孔，穿过第一介电层延伸以接触金属化图案；集成电路管芯，邻近第一介电层上的通孔；模塑料，位于第一介电层上，模塑料密封通孔和集成电路管芯；导电连接件，穿过第二介电层延伸以接触金属化图案，导电连接件电连接至通孔；以及金属间化合物，位于导电连接件和金属化图案的界面处，金属间化合物仅部分地延伸至金属化图案内。本发明的实施例还涉及半导体封装件和方法。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体封装件和方法。

背景技术

由于各个电组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续改进，半导体工业已经经历了快速增长。对于大部分而言，集成密度的改进来自于最小部件尺寸的连续减小，这使得更多的组件集成到给定的区域。随着对缩小电子器件的需求的增长，对半导体管芯的更小且更具创造性的封装技术的需求也已经出现。这种封装系统的实例是叠层封装(PoP)技术。在PoP器件中，顶部半导体封装件堆叠在底部半导体封装件的顶部上以提供高集成度和组件密度。PoP技术通常能够在印刷电路板(PCB)上产生具有增强的功能和较小的覆盖区的半导体器件。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：背侧再分布结构，包括：金属化图案，位于第一介电层上；和第二介电层，位于所述金属化图案上；通孔，穿过所述第一介电层延伸以接触所述金属化图案；集成电路管芯，邻近所述第一介电层上的通孔；模塑料，位于所述第一介电层上，所述模塑料密封所述通孔和所述集成电路管芯；导电连接件，穿过所述第二介电层延伸以接触所述金属化图案，所述导电连接件电连接至所述通孔；以及金属间化合物，位于所述导电连接件和所述金属化图案的界面处，所述金属间化合物仅部分地延伸至所述金属化图案内。

本发明的另一实施例提供了一种形成半导体封装件的方法，包括：在第一介电层和第二介电层之间形成金属化图案；图案化穿过所述第一介电层的第一开口，所述第一开口暴露所述金属化图案的第一侧；在所述第一开口中沉积晶种层；图案化穿过所述第二介电层的第二开口，所述第二开口暴露所述金属化图案的第二侧；将导电连接件放置在所述金属化图案的第二侧上的所述第二开口中；以及回流所述导电连接件，从而在所述导电连接件和所述金属化图案的界面处形成金属间化合物，所述金属化图案将所述金属间化合物与所述晶种层分隔开。

本发明的又一实施例提供了一种形成半导体封装件的方法，包括：在第一介电层上形成金属化图案；在所述金属化图案和所述第一介电层上沉积第二介电层；形成穿过所述第二介电层延伸的通孔以接触所述金属化图案的第一侧；在所述第一介电层中蚀刻第一开口，所述第一开口暴露所述金属化图案的第二侧；在所述第一开口中印刷第一可回流材料；以及在所述第一可回流材料上形成第二可回流材料，所述第一可回流材料和所述第二可回流材料包括不同浓度的导电材料；以及回流所述第一可回流材料和所述第二可回流材料以形成穿过所述第一介电层延伸的导电连接件，并且在所述金属化图案和所述导电连接件的界面处形成金属间化合物。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1、图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14、图15和图16示出了根据一些实施例的在用于形成器件封装件的工艺期间的中间步骤的截面图。

图17、图18A、图18B、图18C、图19和图20示出了根据一些实施例的在用于形成封装结构的工艺期间的中间步骤的截面图。

具体实施方式