[发明专利]电子元器件环境老化测试中泄漏电流检测方法及装置

权利要求书

1.一种电子元器件环境老化测试中泄漏电流检测方法，其特征是：对HTRB中、H₃TRB中或HTGB中，利用采样电路采集所需的泄漏电流，所述采样电路包括用于与待测半导体器件相应端脚连接的运算放大器，所述运算放大器的同相端接地，运算放大器的反相端与待测半导体器件的端脚连接，且运算放大器的反相端通过放大器反馈电阻与所述运算放大器的输出端连接，

在运算放大器的输出端得到输出电压V_out后，泄漏电流I_LK＝V_out/R_IV，其中，V_out为运算放大器的输出电压，R_IV为放大器反馈电阻。

2.根据权利要求1所述的电子元器件环境老化测试中泄漏电流检测方法，其特征是：对HTRB中、H₃TRB中，还包括用于对运算放大器进行保护的放大保护器，所述放大保护器与运算放大器的同相端、反相端适配连接，所述放大保护器包括TVS或稳压二极管。

3.根据权利要求1所述的电子元器件环境老化测试中泄漏电流检测方法，其特征是：在HTGB中，运算放大器的输入偏置电流不大于20nA，且运算放大器的同相端、反相端间在短期内能承受-20V～+20V的电压。

4.根据权利要求1所述的电子元器件环境老化测试中泄漏电流检测方法，其特征是：对HTRB中、H₃TRB中，待测半导体器件包括二极管、IGBT、MOSFET/HEMT；对HTGB中，待测半导体器件包括IGBT、MOSFET或HEMT。

5.一种电子元器件环境老化测试中泄漏电流的检测装置，其特征是：包括用于使得待测半导体器件产生泄漏电流的试验电路以及用于采集泄漏电流的采样电路，所述试验电路包括HTRB电路、H₃TRB电路或HTGB电路；所述采样电路包括用于与待测半导体器件相应端脚连接的运算放大器，所述运算放大器的同相端接地，运算放大器的反相端与待测半导体器件的端脚连接，且运算放大器的反相端通过放大器反馈电阻与所述运算放大器的输出端连接。

6.根据权利要求5所述的电子元器件环境老化测试中泄漏电流的检测装置，其特征是：对HTRB中、H₃TRB中，还包括用于对运算放大器进行保护的放大保护器，所述放大保护器与运算放大器的同相端、反相端适配连接，所述放大保护器包括TVS或稳压二极管。

7.根据权利要求5所述的电子元器件环境老化测试中泄漏电流的检测装置，其特征是：在HTGB中，运算放大器的输入偏置电流不大于20nA，且运算放大器的同相端、反相端间在短期内能承受-20V～+20V的电压。