[发明专利]通用型WPE优化模型及其提取方法有效
申请号: | 201810612102.7 | 申请日: | 2018-06-14 |
公开(公告)号: | CN108875200B | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 张瑜;商干兵 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G06F30/367 | 分类号: | G06F30/367 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 栾美洁 |
地址: | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 通用型 wpe 优化 模型 及其 提取 方法 | ||
1.一种通用型WPE优化模型的提取方法,其特征在于,包括如下步骤:
第一步,设计不同WPE尺寸的器件结构;
第二步,测量器件的数据;
第三步,建立器件的基本模型;
第四步,对器件基本模型进行常规模型曲线拟合,如果拟合结果与器件数据相符,则进入第五步,否则修改器件基本模型相关的参数并重复该步骤;
第五步,建立不同WPE尺寸的XY两个方向相关的距离函数模型;
第六步,对距离函数模型进行曲线拟合,如果拟合结果与器件数据相符,则进入第七步,否则调整距离函数模型的参数,并重复该步骤;
第七步,利用器件基本模型和距离函数模型得到新的WPE优化模型,并验证器件的WPE优化模型;
在第五步中,与WPE相关的距离函数模型公式如下:
其中,X1和X2分别为在横向方向上阱边缘和器件沟道中与该边缘相邻的边缘之间的距离,Y1和Y2分别为在纵向方向上阱边缘和器件沟道中与该边缘相邻的边缘之间的距离,dvth_wpe为WPE对阈值电压的影响偏移量,fu0_wpe为WPE对迁移率的影响因子,fvsat_wpe为WPE对饱和速率的影响因子,W为器件栅极区域的宽度,L为器件栅极区域的长度,kvth0wea、kvth0web,ku0wea、ku0web,kvsatwea、kvsatweb、b1、c1、d1、b2、c2、d2,α1、β1、α2、β2,A1、A2都为拟合参数,pwr()为求幂函数,l、w、p分别为与尺寸相关的比例因子。
2.根据权利要求1所述的通用型WPE优化模型的提取方法,其特征在于,在第二步中,器件的数据包括栅极区域的长度和宽度。
3.根据权利要求1所述的通用型WPE优化模型的提取方法,其特征在于,在第四步中,对器件基本模型的尺寸、电压、温度进行曲线拟合。
4.根据权利要求1所述的通用型WPE优化模型的提取方法,其特征在于,距离函数模型中拟合参数以及与尺寸相关的比例因子的确定步骤如下:
步骤1,固定阱边缘与器件沟道对应边缘在横向方向上的距离,多次变换阱边缘与器件沟道对应边缘在纵向方向上的距离;
步骤2,固定阱边缘与器件沟道对应边缘在纵向方向上的距离,多次变换阱边缘与器件沟道对应边缘在横向方向上的距离;
步骤3,计算得到所有的拟合参数以及与尺寸相关的比例因子。
5.根据权利要求1所述的通用型WPE优化模型的提取方法,其特征在于,距离函数模型中拟合参数以及与尺寸相关的比例因子的确定步骤如下:
步骤1,固定阱边缘与器件沟道对应边缘在纵向方向上的距离,多次变换阱边缘与器件沟道对应边缘在横向方向上的距离;
步骤2,固定阱边缘与器件沟道对应边缘在横向方向上的距离,多次变换阱边缘与器件沟道对应边缘在纵向方向上的距离;
步骤3,计算得到所有的拟合参数以及与尺寸相关的比例因子。
6.根据权利要求1所述的通用型WPE优化模型的提取方法,其特征在于,在第七步中,新的WPE优化模型公式如下:
F(vth0)=f(vth0)+dvth_wpe
F(u0)=f(u0)*fu0_wpe
F(vsat)=f(vsat)*fvsat_wpe
其中,vth0为阈值电压,u0为物理迁移率,vsat为饱和速率,f(vth0)、f(u0)、f(vsat)是器件基本模型中关于阈值电压、物理迁移率、饱和速率的函数关系。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司,未经上海华力集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810612102.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。