[发明专利]磁盘装置及读/写偏移修正方法有效

专利信息
申请号: 201810612292.2 申请日: 2018-06-14
公开(公告)号: CN109961805B 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 田上尚基;原武生;小泉岳 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号: G11B5/55 分类号: G11B5/55;G11B5/596;G11B19/28
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 林娜;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 磁盘 装置 偏移 修正 方法
【说明书】:

实施方式提供能够有效地修正偏移的磁盘装置及读/写偏移修正方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备:盘;头,所述头具有写入头、第一读出头及第二读出头;以及控制器,所述控制器取得第一读出头和第二读出头沿着与第一方向正交的第二方向排列的情况下的写入头、第一读出头以及第二读出头的配置信息,在将第一读出头配置于盘的第一位置的情况下,检测第一读出头与第二读出头的第一方向上的第一距离、和第一读出头与第二读出头的第二方向上的第二距离,基于配置信息、第一距离及第二距离生成修正值,在将第一读出头配置于第一位置并将写入了的第一数据读出的情况下,基于修正值修正头的位置。

技术领域

发明的实施方式涉及磁盘装置及读/写偏移修正方法。

背景技术

近年来,开发了具有多个读出头的二维磁记录(Two-Dimensional MagneticRecording:TDMR)方式的磁盘装置。在TDMR方式中,在写入头与多个读出头之间可能发生读/写(R/W)偏移。因此,在TDMR方式的磁盘装置中,在对写入到从定位了读出头的位置以R/W偏移分离的位置的数据进行读出的情况下,基于写入头与成为进行数据读出的基准的读出头之间的R/W偏移,修正成为基准的读出头的位置。这样,为了修正成为基准的读出头的位置,在TDMR方式的磁盘装置中,按每个头在盘10的预定轨道中测定写入头与多个读出头之间的R/W偏移,并将测定出的R/W偏移保持于非易失性存储器等。另外,伴随着轨道密度(Track Per Inch:TPI)的高密度化,为了改善R/W偏移修正值的测定精度,还需要在更多的轨道测定R/W偏移并保持。因此,测定各头的R/W偏移修正值的时间、保持测定出的R/W偏移的数据容量有可能增大。

发明内容

本发明的实施方式提供能够有效地修正读/写偏移的磁盘装置及读/写偏移修正方法。

本实施方式涉及的磁盘装置具备:盘;头,所述头具有对所述盘写入数据的写入头、从所述盘读出数据的第一读出头及第二读出头;以及控制器,所述控制器取得所述第一读出头和所述第二读出头沿着与第一方向正交的第二方向排列的情况下的所述写入头、所述第一读出头以及所述第二读出头的配置信息,其中所述第一方向是沿着所述盘的半径方向的方向,在将所述第一读出头配置于所述盘的半径方向上的第一位置的情况下,检测所述第一读出头与所述第二读出头的所述第一方向上的第一距离、所述第一读出头与所述第二读出头的所述第二方向上的第二距离,基于所述配置信息、第一距离及所述第二距离生成修正值,在将所述第一读出头配置于所述第一位置并将写入了的第一数据读出的情况下,基于所述修正值修正所述头的位置。

附图说明

图1是示出第一实施方式涉及的磁盘装置的结构的框图。

图2是示出第一实施方式涉及的头相对于盘的配置的一例的示意图。

图3A是示出读出头位于图2所示的基准位置的情况下的写入头和两个读出头的几何配置的一例的图。

图3B是示出读出头位于图2所示的半径位置的情况下的写入头和两个读出头的几何配置的一例的图。

图4是示出第一实施方式涉及的R/W通道及MPU的结构例的框图。

图5是示出横位移(CTS)的检测方法的一例的示意图。

图6是示出纵位移(DTS)的检测方法的一例的示意图。

图7是示出基准位置的设定方法的一例的示意图。

图8是示出基准位置的设定方法的一例的示意图。

图9是示出基准纵位移的测定方法的一例的示意图。

图10是示出基准纵位移的测定方法的一例的示意图。

图11是用于示出基准偏移的测定方法的一例的示意图。

图12是示出基准间隙的测定方法的一例的示意图。

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