[发明专利]一种湿法黑硅硅片的处理方法及湿法黑硅硅片的制备方法在审
申请号: | 201810612547.5 | 申请日: | 2018-06-14 |
公开(公告)号: | CN108807568A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 张艳鹤;金井升;张昕宇;金浩 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 豆贝贝;赵青朵 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 脱金属 硅片 黑硅 湿法 金属颗粒 清洗液 脱除 电化学体系 制备 电化学反应 负极 工作电极 制绒硅片 无残留 产能 废液 溶解 排放 引入 环节 | ||
1.一种湿法黑硅硅片的处理方法,其特征在于,包括:
在脱金属清洗液中引入电化学体系,在电化学反应下脱除制绒硅片表面的金属颗粒;
所述电化学体系以Pt片为工作电极,且以Pt片为负极。
2.根据权利要求1所述的处理方法,其特征在于,所述电化学反应的电压≤10V。
3.根据权利要求1所述的处理方法,其特征在于,所述脱金属清洗液为硝酸液。
4.根据权利要求3所述的处理方法,其特征在于,所述硝酸液的质量百分浓度为10%~65%。
5.根据权利要求1所述的处理方法,其特征在于,所述制绒硅片表面的金属颗粒为Ag颗粒或Cu颗粒。
6.根据权利要求1所述的处理方法,其特征在于,所述电化学反应的温度为25~45℃。
7.根据权利要求1或5所述的处理方法,其特征在于,所述制绒硅片通过以下方式获得:
利用制绒液对硅片进行制绒,得到制绒硅片;
所述制绒液包括:氢氟酸、双氧水和硝酸盐。
8.根据权利要求7所述的处理方法,其特征在于,所述制绒液中,氢氟酸的质量浓度为5%~20%,双氧水的质量浓度为10%~30%,硝酸盐的质量浓度为1%~5%。
9.根据权利要求7或8所述的处理方法,其特征在于,所述制绒的温度25~45℃,时间为1~5min。
10.一种湿法黑硅硅片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
a)利用制绒液对硅片制绒,得到制绒硅片;
b)对制绒硅片进行脱金属处理,得到脱金属硅片;
所述脱金属处理为权利要求1~9中任一项所述的处理方法;
c)对所述脱金属硅片进行后处理,得到硅片产品。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司,未经浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810612547.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的