[发明专利]封装结构在审
| 申请号： | 201810613771.6 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN110610914A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 夏鑫 | 申请（专利权）人： | 通富微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 薛异荣;吴敏 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电连接柱 半导体芯片 第二面 封装结构 阻挡层 载板 表面固定 相对设置 板表面 焊料层 侧壁 覆盖 | ||
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
半导体芯片；
导电连接柱，所述导电连接柱具有相对的第一面和第二面，所述导电连接柱的第一面与半导体芯片的表面固定；
第一阻挡层，所述第一阻挡层位于所述导电连接柱的侧壁且未覆盖第二面；
载板，所述载板与所述半导体芯片相对设置，所述导电连接柱位于半导体芯片和所述载板之间，且第二面朝向载板；
位于所述载板表面和所述第二面之间的焊料层。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一阻挡层的材料为绝缘胶。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一阻挡层的材料为金属氧化物。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述导电连接柱为铜柱；
所述第一阻挡层的材料为氧化铜。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一阻挡层的厚度为10微米～30微米。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述导电连接柱的数量为若干个，所述焊料层的数量为若干个，一个导电连接柱和所述载板表面之间的焊料层的数量为一个。
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述焊料层的高度为5微米～30微米。
8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述焊料层包括与第二面接触的焊料顶面；所述焊料顶面的径向尺寸小于等于第一阻挡层和导电连接柱的总径向尺寸。
9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：塑封层，所述塑封层位于所述载板的表面，且所述塑封层覆盖半导体芯片、导电连接柱、焊料层和第一阻挡层。
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