[发明专利]半导体器件和方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底的第一区域和第二区域上方形成第一半导体层，所述第一半导体层包括第一材料；

在所述第一区域和所述第二区域上方形成第二半导体层；

在所述第一区域中的所述第一半导体层和所述第二半导体层内形成第一开口；

使用间隔件替换所述第一半导体层的位于所述第一开口两侧的端部；

在所述替换后，在所述第一开口中形成源极/漏极区域；

在形成所述源极/漏极区域后，从所述第一区域上方去除所述第一半导体层以由所述第二半导体层形成纳米线沟道，其中，从所述第一区域上方去除所述第一半导体层没有从所述第二区域上方去除所述第一半导体层；以及

在所述纳米线沟道周围形成第一栅电极；以及

在所述第二区域中的所述第一半导体层和所述第二半导体层上方形成第二栅电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述第一半导体层至少部分地用湿蚀刻工艺来实施。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述源极/漏极区域邻近所述第二半导体层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隔件形成在所述第一半导体层内以及在所述第二半导体层和所述半导体衬底之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二区域中的所述第一半导体层和所述第二半导体层形成finFET的半导体鳍。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一半导体层是硅锗。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二半导体层是硅。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在硅衬底上方形成第一硅锗层；

在所述第一硅锗层上方形成第一硅层；

穿过所述第一硅锗层和所述第一硅层图案化开口，以将所述第一硅锗层分为第一区域和第二区域；

在穿过所述第一硅锗层图案化开口之后，在所述第一硅锗层内形成位于所述开口两侧的第一凹槽；

用介电材料填充所述第一凹槽；

在所述填充后，在所述开口中形成源极/漏极区域；

在形成所述源极/漏极区域后去除所述第一区域的第一硅锗层而不去除所述第二区域的第一硅锗层；以及

同时在所述第一区域的所述第一硅层周围形成第一介电材料和在所述第二区域的所述第一硅锗层和所述第一硅层上方形成第二介电材料。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在所述第一硅锗层上方形成第一伪栅极电介质；以及

在所述第一硅锗层上方形成第二伪栅极电介质。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括去除邻近所述第一区域的第一硅锗层的所述第一伪栅极电介质而不去除所述第二伪栅极电介质。

11.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在所述第一硅层周围形成第一栅电极；以及

在所述第二区域的所述第一硅锗层和所述第一硅层上方形成第二栅电极。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，同时实施形成所述第一栅电极和形成所述第二栅电极。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二区域的所述第一硅锗层位于I/O区域内。

14.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一硅层周围的所述第一介电材料位于核心区域内。