[发明专利]显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

第一栅电极；

第一绝缘层，位于所述第一栅电极上；

有源图案，位于所述第一绝缘层上，并且包括NMOS区域和PMOS区域，所述PMOS区域与所述第一栅电极叠置；

第二绝缘层，位于所述有源图案上；

第二栅电极，位于所述第二绝缘层上，并与所述NMOS区域叠置；

有源保护图案，与所述第二栅电极位于同一层中，设置在包括NMOS区域和PMOS区域的有源图案上方，并且穿过所述第二绝缘层并与所述PMOS区域接触；

第三绝缘层，位于所述有源保护图案和所述第二栅电极上；以及

数据金属电极，穿过所述第三绝缘层并与所述有源保护图案接触。

2.如权利要求1所述的显示装置，其中：

所述PMOS区域包括p沟道区域、第一p掺杂区域和第二p掺杂区域，所述第二p掺杂区域与所述第一p掺杂区域间隔开，并且

所述有源保护图案包括与所述第一p掺杂区域接触的第一有源保护图案以及与所述第二p掺杂区域接触的第二有源保护图案。

3.如权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括：

沟道保护图案，位于所述第一有源保护图案与所述第二有源保护图案之间并且与所述p沟道区域叠置。

4.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

漏电极，电连接到所述PMOS区域或所述NMOS区域；以及

有机发光二极管，电连接到所述漏电极。

5.如权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括：

下电容器电极，与所述第一栅电极位于同一层中；以及

上电容器电极，与所述下电容器电极叠置，并且与所述第二栅电极位于同一层中。

6.如权利要求5所述的显示装置，其中：

所述下电容器电极电连接到所述漏电极，并且

所述上电容器电极电连接到所述第二栅电极。

7.如权利要求5所述的显示装置，其中：

所述下电容器电极电连接到所述第一栅电极，并且

所述上电容器电极电连接到所述漏电极。

8.如权利要求5所述的显示装置，其中，所述第三绝缘层的厚度大于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的总厚度。

9.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述有源保护图案包括具有高于所述数据金属电极的逸出功的逸出功的材料。

10.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述有源保护图案包括银、镍、钨、铜、铬和钼中的至少一种。

11.如权利要求10所述的显示装置，其中，所述数据金属电极包括镁、钽、钛和铝中的至少一种。

12.一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括：

形成包括第一栅电极的下栅极金属图案；

在所述下栅极金属图案上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成半导体图案，所述半导体图案包括第一有源区域和与所述第一有源区域间隔开的第二有源区域，所述第一有源区域与所述第一栅电极叠置；

在所述半导体图案上形成第二绝缘层；

通过对所述第一有源区域进行掺杂来形成PMOS区域；

通过对所述第二有源区域进行掺杂来形成NMOS区域；

在所述第二绝缘层上形成上栅极金属图案，所述上栅极金属图案包括第二栅电极和有源保护图案，所述有源保护图案与PMOS区域接触并且设置在包括PMOS区域和NMOS区域的半导体图案上方，所述第二栅电极与所述NMOS区域叠置；

在所述第二栅电极和所述有源保护图案上形成第三绝缘层；以及

形成数据金属图案，所述数据金属图案包括数据金属电极，所述数据金属电极穿过所述第三绝缘层以接触所述有源保护图案。