[发明专利]MOS管快速驱动电路在审
| 申请号： | 201810614901.8 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN108923622A | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 李水冰;程美红;朱万明 | 申请（专利权）人： | 湖北德普电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08 |
| 代理公司： | 武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 42242 | 代理人： | 廉海涛 |
| 地址： | 441000 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 快速驱动电路 导通 电容器 变压器初级 电容电压 干扰产生 控制信号 快速关断 快速驱动 驱动电路 大电流 低阻抗 二级管 负电压 开关管 栅源极 关断 泄放 放大 驱动 保证 | ||
1.一种MOS管快速驱动电路，其特征在于：包括脉冲变压器U1、电容器C3、电阻器R2和二级管D2，脉冲变压器U1外接脉冲电源且依次与电容器C3、电阻器R2、NMOS管栅极G、NMOS管源极S电性连接形成电回路，二级管D2正极电性连接NMOS管源极S，二级管D2负极电性连接NMOS管漏极D。
2.如权利要求1所述的MOS管快速驱动电路，其特征在于：还包括电阻器R1、二级管D1、电容器C1、击穿二极管D3、三极管T1和电容器C2，其中，电阻器R1、二级管D1相互并联后与电容器C1串联，电阻器R1、二级管D1分别与电容器C3、电阻器R2之间的节点电性连接，电容器C1与脉冲变压器U1、NMOS管源极S之间的节点电性连接，击穿二极管D3负极与二级管D1、电容器C1之间的节点电性连接、正极与三极管T1基极电性连接，三极管T1集电极与电阻器R2、NMOS管栅极G之间的节点电性连接、三极管T1发射极与脉冲变压器U1、NMOS管源极S之间的节点电性连接。
3.如权利要求2所述的MOS管快速驱动电路，其特征在于：还包括击穿二极管D4和击穿二极管D5，穿二极管D4负极与电阻器R2、NMOS管栅极G之间的节点电性连接，穿二极管D4正极与击穿二极管D5正极电性连接，击穿二极管D5负极与脉冲变压器U1、NMOS管源极S之间的节点电性连接。
4.如权利要求3所述的MOS管快速驱动电路，其特征在于：还包括电阻R3，其一端分别与电阻器R2、NMOS管栅极G之间的节点电性连接、另一端与脉冲变压器U1、NMOS管源极S之间的节点电性连接。
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H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
