[发明专利]一种多孔花片状锂电池正极材料的制备方法

权利要求书

1.一种多孔花片状锂电池正极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将抛光处理后的铜箔放入反应釜底部，加入前驱液；

（2）用移液器向反应釜中移入水相碳量子点溶液，搅拌20-60min，使前驱液和水相碳量子点混合均匀；

（3）将反应釜密封后，在120-220℃下加热5-72h，清洗、干燥后，得到多孔花片状锂电池正极材料；

前驱液由溶质和溶剂组成，溶质为质量比3-5：4：0.5-8的二水合氯化铜、硫脲和PVP，溶剂为95%的乙醇。

2.根据权利要求1所述的多孔花片状锂电池正极材料的制备方法，其特征在于，抛 光处理为机械抛 光、化学抛 光中的一种或两种。

3.根据权利要求1所述的多孔花片状锂电池正极材料的制备方法，其特征在于，前驱液的加入量为反应釜容积的60-80%。

4.根据权利要求3所述的多孔花片状锂电池正极材料的制备方法，其特征在于，铜箔的厚度为50μm，铜箔与硫脲的质量比为1-3：4。

5.根据权利要求3所述的多孔花片状锂电池正极材料的制备方法，其特征在于，水相碳量子点溶液的浓度为10-20mg/ml，水相碳量子点与前驱液中溶质的质量比为1：18-200。

6.根据权利要求1所述的多孔花片状锂电池正极材料的制备方法，其特征在于，清洗为先用无水乙醇清洗三次，再用去离子水清洗三次。

7.根据权利要求1所述的多孔花片状锂电池正极材料的制备方法，其特征在于，干燥为40-100℃真空干燥6-12h。

8.根据权利要求1-7任一项所述的多孔花片状锂电池正极材料的制备方法，所得多孔花片状锂电池正极材料由在铜箔上生长的纳米级厚度的半导体花片团簇组成，且每个半导体花片上存在多个纳米级的小孔。

9.根据权利要求8所述的多孔花片状锂电池正极材料的制备方法，其特征在于，半导体为具有单晶结构的硫化亚铜。

10.根据权利要求8所述的多孔花片状锂电池正极材料的制备方法，其特征在于，花片的厚度为5-500nm，小孔的直径为1-10nm。