[发明专利]耐高压低弯曲损耗的光纤在审
| 申请号： | 201810615913.2 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN110609351A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 蒋新力;许维维;范艳层;成煜;王见青;沈一春;刘志忠;曹珊珊;徐海涛 | 申请（专利权）人： | 中天科技精密材料有限公司;江苏中天科技股份有限公司;中天科技光纤有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/036 | 分类号： | G02B6/036;G02B6/02 |
| 代理公司： | 44334 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 | 代理人： | 苏广秀;徐丽 |
| 地址： | 226009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯层 内包层 折射率 光纤 下陷 外包层 光纤传输性能 折射率剖面 弯曲损耗 延伸距离 阶跃型 外边缘 延伸 | ||
1.一种耐高压低弯曲损耗的光纤，其特征在于：所述光纤包括芯层、内包层、下陷层及外包层，所述芯层掺有SiO2和GeO2，所述芯层的半径由所述芯层中心向外延伸距离R1形成，所述芯层的折射率为n1，所述内包层的宽度为所述芯层边缘R1处向外延伸R2-R1的距离，所述内包层的剖面通过掺少量Ge和F形成，所述内包层的折射率为n2，所述下陷层从所述内包层外边缘向外深掺F形成，所述下陷层的宽度和折射率分别为R3-R2和n3，所述外包层的厚度和折射率分别为Rc-R3和nc，所述光纤的折射率剖面为阶跃型分布。
2.如权利要求1所述的耐高压低弯曲损耗的光纤，其特征在于：所述芯层半径R1设定在2.5μm～4μm之间，所述内包层的宽度R2-R1设定在2.5μm～8μm之间，所述下陷层的宽度R3-R2设定在3μm～10μm之间，所述外包层的半径Rc设定在40μm～125μm之间，所述芯层与所述外包层的折射率差n1-nc在0.01～0.016之间，所述内包层与所述外包层的折射率差n2-nc在-0.003～0.001之间，所述下陷层与所述外包层的折射率差n3-nc在-0.003～-0.01之间，所述芯层与所述下陷层的折射率差满足n1-n3＞0.016。
3.如权利要求1所述的耐高压低弯曲损耗的光纤，其特征在于：所述外包层为纯石英玻璃层，所述外包层的折射率为1.4572。
4.如权利要求1所述的耐高压低弯曲损耗的光纤，其特征在于：所述芯层掺杂GeO2的浓度范围设置在14％-19％之间，所述内包层掺杂GeO2的浓度范围设置在0.8％-2％之间。
5.如权利要求1所述的耐高压低弯曲损耗的光纤，其特征在于：所述下陷层掺杂物F的浓度范围设置在0.5％-1.5％之间。
6.如权利要求1所述的耐高压低弯曲损耗的光纤，其特征在于：所述下陷层的掺杂深度设置在-0.0035～-0.0053。
7.如权利要求1所述的耐高压低弯曲损耗的光纤，其特征在于：所述光纤在125MPa压力下，1550nm波长处传输损耗变化值不大于0.001dB/km。
8.如权利要求1所述的耐高压低弯曲损耗的光纤，其特征在于：所述光纤在1310nm波长处光纤衰减小于0.5dB/km，在1550nm波长处衰减小于0.33dB/km。
9.如权利要求1所述的耐高压低弯曲损耗的光纤，其特征在于：所述下陷层的宽度大于所述光纤的模场直径的二分之一。
10.如权利要求1所述的耐高压低弯曲损耗的光纤，其特征在于：所述下陷层深掺F通过MCVD实现。
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