[发明专利]碳化硅晶体生长热场旋转装置在审
| 申请号： | 201810616154.1 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN108588836A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 李龙远;赵丽霞;吴会旺;刘英斌;李胜华 | 申请（专利权）人： | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/06 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 林艳艳 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 坩埚 供气管组件 碳化硅晶体 旋转装置 热场 加热保温 旋转组件 生长 晶体对称性 感应线圈 工艺气体 固定支撑 结构设置 晶体生长 静止状态 内部气体 旋转坩埚 制作设备 坩埚底面 扰动 传统的 供气孔 晶体的 贯穿 固接 外周 对流 保证 | ||
1.碳化硅晶体生长热场旋转装置，其特征在于：包括基座(500)、贯穿所述基座(500)且与所述基座(500)固接的供气管组件(300)、固设于所述供气管组件(300)上部且用于容纳原料(800)和籽晶(900)的坩埚(100)、设置于所述坩埚(100)外周且与所述坩埚(100)转动配合的加热保温旋转组件(200)以及套设于所述加热保温旋转组件(200)外周且与所述加热保温旋转组件(200)间隔设置的感应线圈(400)，所述供气管组件(300)的上部贯穿所述坩埚(100)的底部设置，所述供气管组件(300)内部设有用于向所述坩埚(100)中通入工艺气体的供气孔(311)。
2.如权利要求1所述的碳化硅晶体生长热场旋转装置，其特征在于：所述加热保温旋转组件(200)包括设置于所述坩埚(100)外周且开口向上的加热桶(210)、固设于所述加热桶(210)外周的保温桶(220)以及固设于所述保温桶(220)下方外周且用于驱动所述保温桶(220)转动的旋转驱动组件(230)，所述加热桶(210)和所述坩埚(100)之间设有间隙。
3.如权利要求2所述的碳化硅晶体生长热场旋转装置，其特征在于：所述保温桶(220)包括与所述加热桶(210)固接且开口向上的桶体(221)以及设于所述桶体(221)上方的盖体(222)。
4.如权利要求3所述的碳化硅晶体生长热场旋转装置，其特征在于：所述盖体(222)上还设有用于使红外测温仪发出的红外线穿入并测温的贯通孔(223)。
5.如权利要求1所述的碳化硅晶体生长热场旋转装置，其特征在于：所述坩埚(100)包括与所述供气管组件(300)固接的埚体(110)以及设置于所述埚体(110)顶部的坩埚盖(120)。
6.如权利要求1所述的碳化硅晶体生长热场旋转装置，其特征在于：所述供气管组件(300)包括贯穿所述加热保温旋转组件(200)设置且顶面与所述坩埚(100)的底面固接的第一管体(310)以及贯穿所述埚体(110)底部设置的第二管体(320)。
7.如权利要求6所述的碳化硅晶体生长热场旋转装置，其特征在于：所述第一管体(310)的外径大于所述第二管体(320)的外径，所述第一管体(310)的内径等于所述第二管体(320)的内径。
8.如权利要求2所述的碳化硅晶体生长热场旋转装置，其特征在于：所述旋转驱动组件(230)包括设置于所述保温层(220)下方的支撑筒(231)、固设于所述支撑筒(231)内壁上的内齿轮(232)、与所述内齿轮(232)啮合的驱动齿轮(233)以及输出轴与所述驱动齿轮(233)相连的驱动电机(234)，所述内齿轮(232)的下端面与所述基座(500)之间还设有推力轴承(235)。
9.如权利要求1所述的碳化硅晶体生长热场旋转装置，其特征在于：所述坩埚(100)为石墨材质构件。
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