[发明专利]一种基于晶体管堆叠技术的高效率连续F类功率放大器

权利要求书

1.一种基于晶体管堆叠技术的高效率连续F类功率放大器，其特征在于，包括输入基波匹配网络、三堆叠自偏置功率放大网络、高效连续F类输出匹配网络、栅极供电偏置网络以及漏极供电偏置网络；

所述输入基波匹配网络的输入端为整个所述高效率连续F类功率放大器的输入端，其输出端与三堆叠自偏置功率放大网络的输入端连接；

所述高效连续F类输出匹配网络的输出端为整个所述高效率连续F类功率放大器的输出端，其输入端与三堆叠自偏置功率放大网络的输出端连接；

所述三堆叠自偏置功率放大网络的输入端还与栅极供电偏置网络连接，所述漏极供电偏置网络分别与三堆叠自偏置功率放大网络以及高效连续F类输出匹配网络连接。

2.根据权利要求1所述的高效率连续F类功率放大器，其特征在于，所述输入基波匹配网络包括微带线TL₁，所述微带线TL₁的一端为输入基波匹配网络的输入端，其另一端分别与电容C₁的一端以及开路微带线TL₂连接，所述电容C₁的另一端为输入基波匹配网络的输出端。

3.根据权利要求1所述的高效率连续F类功率放大器，其特征在于，所述三堆叠自偏置功率放大网络包括按照源极-漏极相连堆叠构成的顶层晶体管Md₃、中间层晶体管Md₂以及底层晶体管Md₁；

所述底层晶体管Md₁的源极接地，其栅极与微带线TL₄的一端连接，所述微带线TL₄的另一端为三堆叠自偏置功率放大网络的输入端；

所述中间层晶体管Md₂的栅极分别与电阻R₂的一端以及第一栅极补偿电路连接，所述电阻R₂的另一端分别与电阻R₄的一端以及接地电阻R₅连接，所述第一栅极补偿电路包括串联的栅极稳定电阻R₃和补偿接地电容C₄；

所述顶层晶体管Md₃的漏极为三堆叠自偏置功率放大网络的输出端，其栅极分别与电阻R₆的一端以及第二栅极补偿电路连接，所述电阻R₆的另一端分别与电阻R₄的另一端以及电阻R₇的一端连接，所述电阻R₇的另一端与漏极供电偏置网络连接，所述第二栅极补偿电路包括串联的栅极稳定电阻R₁和补偿接地电容C₅；

所述底层晶体管Md₁的漏极和中间层晶体管Md₂的源极之间通过微带线TL₅连接，所述中间层晶体管Md₂的漏极和顶层晶体管Md₃的源极之间通过微带线TL₆连接。

4.根据权利要求1所述的高效率连续F类功率放大器，其特征在于，所述栅极供电偏置网络包括微带线TL₃，所述微带线TL₃的一端与三堆叠自偏置功率放大网络的输入端连接，其另一端分别与接地电容C₂、接地电容C₃以及低压偏置电源VG连接。