[发明专利]一种基于无释放孔上电极结构的射频MEMS开关有效
申请号: | 201810617803.X | 申请日: | 2018-06-15 |
公开(公告)号: | CN108648964B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 吴倩楠;刘秋慧;李孟委 | 申请(专利权)人: | 中北大学 |
主分类号: | H01H59/00 | 分类号: | H01H59/00;H01P1/10;H01P1/12 |
代理公司: | 深圳市兴科达知识产权代理有限公司 44260 | 代理人: | 杨小东 |
地址: | 030051*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 释放 电极 结构 射频 mems 开关 | ||
1.一种基于无释放孔上电极结构的射频MEMS开关,其特征在于,包括:
提供支撑基础的衬底;
设置在所述衬底上的微波传输线和驱动电极,所述微波传输线包括信号线和地线,所述微波传输线中部设有断口,所述驱动电极设置在所述断口处;
设置在微波传输线上的上电极、下电极组件和空气桥,所述上电极一端与一侧的信号线连接,所述下电极组件与另一侧的信号线连接,上电极另一端悬空设置在所述驱动电极上方并延伸至下电极组件上方,所述空气桥连通所述地线;
及一罩设上述各组件的封装帽;
所述上电极设置在所述信号线上并位于断口的相反于所述下电极组件一侧,所述上电极由两长片和两短片组成,两所述长片平行设置,一所述短片两端分别与两长片的中部连接,另一所述短片两端分别与两长片同一侧的端部连接形成封口端,所述上电极整体呈一端封口的“H”形,所述上电极相反于所述封口端的一端为开口端,所述上电极封口端与该侧信号线连接,所述上电极开口端悬空并延伸至所述下电极组件上方;
所述微波传输线包括:至少一条信号线和至少两条地线,所述信号线设置在所述衬底的中央位置,所述地线与所述信号线平行设置并分别位于所述信号线两侧;
所述信号线和地线中间位置断开形成断口,所述信号线和地线中部的断口共同形成一用于设置所述驱动电极的容纳空间,所述信号线和地线上靠近断口处均设置有固定锚点;
所述下电极组件设置在所述信号线上并位于断口相反所述上电极一侧,所述下电极组件包括:下电极、触点、弹性梁,所述下电极设置在所述信号线上,所述下电极靠近断口一端并排设置有两个固定锚点,两个所述弹性梁平行设置,每个固定锚点分别与一所述弹性梁一端连接,所述弹性梁向断口方向延伸,所述弹性梁末端设置所述触点,每个所述触点分别对应一所述长片;
所述触点的形状为长方体、半球体或者圆锥体中的一种。
2.根据权利要求1所述的射频MEMS开关,其特征在于,所述地线的断口处上设置所述空气桥,所述空气桥分别连接所述地线断口两侧的固定锚点,将所述地线导通。
3.根据权利要求1所述的射频MEMS开关,其特征在于,所述驱动电极设置在所述信号线和地线中部的断口形成的容纳空间内,并位于所述信号线断口处,所述驱动电极位于所述上电极下方,所述驱动电极通过引线与外部连通。
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