[发明专利]混合集成型双谱段多光谱短波红外探测器

权利要求书

1.一种混合集成型双谱段多光谱短波红外探测器，其特征在于，沿光线入射的方向依次设置有：

MEMS光学滤波或干涉芯片，在所述MEMS光学滤波或干涉芯片之上形成有电极；

在所述MEMS光学滤波或干涉芯片之下设置有双谱段多光谱红外探测器单元或阵列，所述双谱段多光谱红外探测器与MEMS光学滤波或干涉芯片通过贴装或耦合方式连接；

在所述双谱段多光谱红外探测器单元或阵列之下设置有信号处理芯片或读出电路芯片，所述双谱段多光谱红外探测器与信号处理芯片或读出电路芯片通过引线键合或倒装焊的方式连接，所述信号处理芯片或读出电路芯片部分暴露形成有电极；

所述MEMS光学滤波或干涉芯片的电极与信号处理芯片或读出电路芯片的电极之间通过引线互联；

所述信号处理芯片或读出电路芯片具有探测器信号输出端口以及MEMS芯片电源输入调制端口。

2.如权利要求1所述的混合集成型双谱段多光谱短波红外探测器，其特征在于，所述双谱段多光谱红外探测器包括：

衬底；

在所述衬底上从下至上依次形成的第一吸收层结构、第二吸收层结构、……、第i吸收层结构、……、第N吸收层结构，所述N为大于1的正整数，所述i为大于1且小于等于N的正整数；

每一个吸收层结构具有一个下接触层、一个吸收层和一个上接触层，相邻两个吸收层结构的接触层共用；

沿光线入射方向，N个吸收层的吸收波长逐渐变长。

3.如权利要求1或2所述的混合集成型双谱段多光谱短波红外探测器，其特征在于，所述双谱段多光谱红外探测器包括如下结构之一：

结构一：

InP衬底；

在所述InP衬底上形成有第一导电类型的InP作为第一吸收层结构的下接触层；

在所述第一吸收层结构的下接触层之上形成有本征In_x1Ga_1-x1As作为第一吸收层，其中，0<x1<1，所述第一吸收层覆盖部分下接触层；

在所述第一吸收层之上形成有第二导电类型的InP作为公共接触层；

在所述公共接触层之上形成有晶格适配缓冲层，所述晶格适配缓冲层的底层与公共接触层晶格匹配，上层与第二吸收层晶格匹配，所述晶格适配缓冲层覆盖部分公共接触层；

在所述晶格适配缓冲层之上形成有本征或者第一导电类的In_x2Ga_1-x2As作为第二吸收层，其中，0<x2<1，x2>x1；

在所述第二吸收层之上形成第一导电类型的In_x3Al_1-x3As上接触层，其中，0<x3<1，且x2-0.1<x3<x2+0.1；

在所述下接触层、公共接触层的暴露部分和上接触层上形成有电极；

结构二：

InP衬底；

在所述InP衬底上形成有第一导电类型的InP作为第一吸收层结构的下接触层；

在所述第一吸收层结构的下接触层之上形成有本征In_x4Ga_1-x4As_y4P_1-y4作为第一吸收层，其中，0<x4<1,0<y4<1且y4＝2.2×(1-x4)，所述第一吸收层覆盖部分下接触层；

在所述第一吸收层之上形成有第二导电类型的InP作为公共接触层；

在所述公共接触层之上形成有本征In_x5Ga_1-x5As_y5P_1-y5或者In_x6Ga_1-x6As作为第二吸收层，其中，0<x5<1,0<y5<1，y5＝2.2×(1-x5)且x4<x5；0.53<x6<0.6；所述第二吸收层覆盖部分公共接触层，且与InP晶格匹配；

在所述第二吸收层之上形成有第一导电类型的InP作为上接触层；

在所述下接触层、公共接触层的暴露部分和上接触层上形成有电极。