[发明专利]显示设备及制造该显示设备的方法有效
申请号: | 201810619392.8 | 申请日: | 2018-06-15 |
公开(公告)号: | CN109148514B | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 孙暻锡;金亿洙;金宰范;林俊亨;林志勋 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H10K59/131 | 分类号: | H10K59/131;H10K59/121;H01L21/84 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 李婷;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 制造 方法 | ||
提供了一种显示设备和一种制造该显示设备的方法。所述显示设备包括:基底,其上限定有第一区域、与第一区域间隔开的第二区域和在第一区域和第二区域之间并且沿弯曲轴弯曲的弯曲区域;第一薄膜晶体管(“TFT”)和第二TFT;以及第一导电层和第二导电层。第一TFT包括:第一有源层,包括多晶硅;第一栅电极;以及第一电极,设置在与第一导电层的水平相同的水平处,第二TFT包括:第二有源层,包括氧化物半导体;第二栅电极;以及第二电极,设置在与第二导电层的水平相同的水平处。
本申请要求于2017年6月16日提交的第10-2017-0076821号韩国专利申请的优先权和由此产生的所有权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示设备和一种制造该显示设备的方法,更具体地,涉及一种由包括多晶硅的薄膜晶体管(“TFT”)和包括氧化物半导体的TFT驱动的显示设备,以及一种制造该显示设备的方法。
背景技术
显示设备通常包括显示装置和用于驱动显示装置的驱动电路。驱动电路可以包括薄膜晶体管(“TFT”)和电容器。近来,包括多晶硅的TFT已经被广泛用于实现具有高分辨率的显示设备。
一般来说,显示设备在基底上具有显示区域。近来,已经对通过弯曲显示设备的至少一部分来改善各种角度下的可视性或减小非显示区域的尺寸进行了研究。
发明内容
在包括多晶硅的薄膜晶体管(“TFT”)中,会发生泄漏电流,使得包括这样的TFT的显示设备的功耗会增大。
在包括含有弯曲区域以改善各种角度下的可视性或减小非显示区域的尺寸的基底的显示设备中,弯曲区域的结构会是复杂的,以防止由于施加到弯曲区域的拉应力而导致布线断开,因此显示设备的制造成本会提高。
一个或更多个实施例涉及一种具有低功耗和高分辨率的显示设备以及一种制造该显示设备的方法。
一个或更多个实施例涉及一种其中包括多晶硅的有源层和接触有源层的导电层之间的接触电阻大幅减小或最小化的显示设备。
一个或更多个实施例涉及一种通过使在显示设备的制造过程期间使用的掩模的数量最小化而具有降低的制造成本的显示设备。
根据一个或更多个实施例,一种显示设备包括:基底,其上限定有第一区域、与第一区域间隔开的第二区域以及在第一区域和第二区域之间并且沿弯曲轴弯曲的弯曲区域;第一薄膜晶体管(“TFT”),设置在基底上的第一区域中;第二TFT,设置在基底上的第一区域中;第一导电层,从第一区域通过弯曲区域延伸到第二区域;第二导电层,从第一区域通过弯曲区域延伸到第二区域,其中,第一导电层和第二导电层设置在彼此不同的水平处。在这样的实施例中,第一TFT包括:第一有源层,包括多晶硅;第一栅电极,与第一有源层绝缘;以及第一电极,连接到第一有源层并设置在与第一导电层的水平相同的水平处,第二TFT包括:第二有源层,包括氧化物半导体;第二栅电极,与第二有源层绝缘;以及第二电极,连接到第二有源层并设置在与第二导电层的水平相同的水平处。
在实施例中,显示设备还可以包括由第一TFT和第二TFT驱动的显示装置,其中,第一TFT是将驱动电流传输到显示装置的驱动TFT。
在实施例中,显示设备还可以包括设置在基底上以覆盖第一栅电极的第一层间绝缘层,其中,第二有源层设置在第一层间绝缘层上。
在实施例中,显示设备还可以包括设置在第一层间绝缘层上以覆盖第二栅电极的第二层间绝缘层,其中,第一电极设置在第二层间绝缘层上。
在实施例中,显示设备还可以包括设置在第二层间绝缘层上以覆盖第一电极的平坦化层,其中,第二电极设置在平坦化层上。
在实施例中,显示设备还可以包括电连接到第一电极并设置在与第二电极的水平相同的水平处的连接电极。
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