[发明专利]一种失效分析定位方法在审
| 申请号： | 201810619924.8 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN108918552A | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 翁浚婧;黄楚楚;李金;纪晓娜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/956 | 分类号： | G01N21/956 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 目标区域 失效分析 点阵图形 失效点 重复性结构 抓取 半导体领域 被测芯片 表面设置 快速定位 区域设置 面积和 正相关 芯片 分析 | ||
1.一种失效分析定位方法，其特征在于，适用于被测芯片的重复性结构区域，具体包括以下步骤：
步骤S1，预先在所述重复性结构区域设置一目标区域；
步骤S2，以所述目标区域为中心在所述被测芯片表面设置一点阵图形，所述点阵图形中的组成点的面积和所述组成点与所述目标区域之间的距离成正相关；
步骤S3，对所述目标区域进行失效分析以定位所述目标区域中的失效点，在进行所述失效分析之前根据所述点阵图形定位所述目标区域。
2.根据权利要求1所述的失效分析定位方法，其特征在于，
所述点阵图形中的所述组成点构成若干条呈直线形的带状区域，每一所述带状区域起点为所述目标区域。
3.根据权利要求2所述的失效分析定位方法，其特征在于，
所述点阵图形包括两条相互垂直的所述带状区域。
4.根据权利要求2所述的失效分析定位方法，其特征在于，
每一所述带状区域中的所述组成点的面积沿着背离所述目标区域的方向逐渐增大。
5.根据权利要求2所述的失效分析定位方法，其特征在于，
每一所述带状区域中的相邻所述组成点之间的距离沿着背离所述目标区域的方向逐渐增大。
6.根据权利要求1所述的失效分析定位方法，其特征在于，
所述点阵图形中的所述组成点的数量与所述目标区域的面积成负相关。
7.根据权利要求1所述的失效分析定位方法，其特征在于，
所述组成点通过一激光器打印于所述待测芯片表面。
8.根据权利要求1所述的失效分析定位方法，其特征在于，
所述组成点的形状为矩形或圆形。
9.根据权利要求1所述的失效分析定位方法，其特征在于，
在所述步骤S3中，通过EMMI技术对所述目标区域进行所述失效分析。
10.根据权利要求1所述的失效分析定位方法，其特征在于，
在所述步骤S3中，通过OBIRCH技术对所述目标区域进行所述失效分析。
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