[发明专利]一种玻璃用TZO半导体材料的制备方法

权利要求书

1.一种玻璃用TZO半导体材料的制备方法，该方法包括以下步骤：

(1)将可聚合单体与水-甲醇混合溶剂以及分散剂混合，制得预混液；

(2)取ZnO和SnO₂粉体混合物，加入到步骤(1)的预混液中，搅拌制浆，将该浆料进行研磨；

(3)向研磨后的浆料即研磨浆料中加入有机脱气剂以及聚合催化剂和聚合引发剂，在真空搅拌机中于20-60℃下搅拌30-60分钟；和

(4)将步骤(3)的反应产物浇注到模具中，然后进行脱模，将脱模后的湿坯体在烘箱中于70-110℃的温度下烘干得到高密度TZO素坯，然后在焙烧炉中于空气氛围下在400-600℃下焙烧1-4小时，然后升温至1200-1600℃烧结2-4小时，缓慢降至室温，再经过加工得到TZO半导体材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中所述可聚合单体包含两种以上单体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤(1)中，可聚合单体与水-甲醇混合溶剂的重量比为(5-20):100。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述分散剂为可聚合单体与水-甲醇混合溶剂的总重量的0.1-1.5％。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述ZnO和SnO₂粉体混合物为平均粒径1.0-6.0微米的粉末。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中在步骤(2)中，浆料的固含量为30-70％。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中有机脱气剂为正丁醇，正丁醇的用量为研磨浆料的约0.1-0.8wt.％。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述研磨通过使用球磨机，采用氧化锆球作为研磨介质进行来进行。

9.一种根据前述权利要求中任一项所述的方法制得的TZO半导体材料，其中在该材料中，ZnSnO₃相的比例不低于70％。

10.根据权利要求9的TZO半导体材料，其中在该材料中，ZnSnO₃相的比例不低于90％。