[发明专利]一种离子渗透调节方法和装置

权利要求书

1.一种离子渗透调节方法，其包括：

使用带离子溶质的溶液作为渗透的参与者，以下所有溶液无特别说明均指带离子溶质的溶液；

在溶液和半透膜所在的部分区域或全部区域布置电场或布置磁场或布置电场和磁场。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

以溶液与半透膜的接触面为界，将整个空间划分为溶液侧和膜侧两个区域，溶液侧指与溶液在界面同一侧的所有空间，膜侧指与半透膜在界面同一侧的所有空间，所述电场的布置：

对于需增强某种电性离子渗透压的溶液，布置与该电性相反的电极在膜侧，与该电性相同的电极在溶液侧，单电极电场可仅布置上述任一个电极；

对于需减弱某种电性离子渗透压的溶液，布置与该电性相反的电极在溶液侧，与该电性相同的电极在膜侧，单电极电场可仅布置上述任一个电极；

对于需同时增强所有离子渗透压的溶液，两个电极都布置在膜侧，最优方式是在该溶液两侧布置两个半透膜，两个电极分别布置在两个膜侧；

对于需同时减弱所有离子渗透压的溶液，两个电极都布置在溶液侧。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其进一步包括：

所述磁场的布置：

对于需减弱离子渗透压的溶液，磁场布置在溶液和膜所在区域，磁场线将大部分或全部离子溶质与半透膜分隔开；

对于需增强离子渗透压的溶液，磁场布置在溶液所在区域，磁场线将大部分或全部离子溶质与半透膜分隔在同一侧。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

所述磁场的产生结构中包含以下任一种或几种：a)永磁体、b)电磁体、c)超导磁体。

5.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：

所述磁场的产生结构中包含以下任一种或几种：a)永磁体、b)电磁体、c)超导磁体。

6.根据权利要求1、2、4、5之一所述的方法，其进一步包括：

所述电场的产生结构中包含以下任一种或几种：a)电导体、b)永电体、c)电容器结构。

7.一种离子渗透调节装置，其包括：

半透膜和与半透膜接触可容纳或已容纳带离子溶质溶液的腔体、电磁场发生装置，电磁场发生装置是可以产生电场，或可以产生磁场，或可以即产生电场又产生磁场的装置，当电磁场发生装置工作时，腔体和半透膜两者的部分或全部处于电磁场发生装置产生的场中。

8.根据权利要求7所述的装置，其进一步包括：

所述的电磁场发生装置结构中包含以下任一种或几种结构：a)电导体、b)永电体、c)电容器结构、d)永磁体、e)电磁体、f）超导磁体。