[发明专利]液态金属场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种液态金属场效应晶体管，其特征在于，包括柔性衬底、液态金属栅极、介电层、半导体层、液态金属源极和液态金属漏极；液态金属栅极间隔设置于柔性衬底的上部，介电层覆盖于液态金属栅极的上表面，半导体层、液态金属源极和液态金属漏极叠设于介电层的上部，液态金属源极通过半导体层与液态金属漏极连接。

2.根据权利要求1的液态金属场效应晶体管，其特征在于，液态金属源极及液态金属漏极设置于介电层的上部，液态金属源极与液态金属漏极之间形成第一沟道，半导体层设置于第一沟道中。

3.根据权利要求1的液态金属场效应晶体管，其特征在于，半导体层覆盖于介电层的上表面，液态金属源极与液态金属漏极设置于半导体层的上部，且液态金属源极与液态金属漏极之间形成第二沟道。

4.一种液态金属场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在柔性衬底的上部间隔制作液态金属栅极，并在液态金属栅极的上表面沉积介电层；

在介电层上形成液态金属源极、液态金属漏极和半导体层，以使半导体层、液态金属源极及液态金属漏极叠设于介电层的上部，且液态金属源极通过半导体层与液态金属漏极连接。

5.根据权利要求4的方法，其特征在于，在介电层上形成液态金属源极、液态金属漏极和半导体层，包括：

在介电层的上部制作液态金属源极及液态金属漏极，并使液态金属源极与液态金属漏极之间形成第一沟道；

在第一沟道中形成半导体层。

6.根据权利要求4的方法，其特征在于，在介电层上形成液态金属源极、液态金属漏极和半导体层，包括：

在介电层的上部形成半导体层；

在半导体层的上部制作液态金属源极及液态金属漏极，并使液态金属源极与液态金属漏极之间形成第二沟道。

7.根据权利要求4的方法，其特征在于，在液态金属栅极的上表面沉积介电层，包括：

采用旋涂机在液态金属栅极的上表面沉积介电层，并在旋涂过程中向旋涂机周围注入液氮，以使液态金属栅极处于凝固状态。

8.根据权利要求4的方法，其特征在于，在液态金属栅极上沉积介电层之后，还包括：对介电层进行退火处理。

9.根据权利要求4的方法，其特征在于，在介电层上形成液态金属源极、液态金属漏极和半导体层之后，还包括：对半导体层进行退火处理。

10.根据权利要求4的方法，其特征在于，在介电层上形成液态金属源极、液态金属漏极和半导体层之后，还包括：将混合液均匀涂覆在液态金属场效应晶体管的表面后，对液态金属场效应晶体管进行加热处理直至混合液凝固，其中，混合液是通过以设定质量比均匀混合聚二甲基硅氧烷和硅胶固化剂获得的。