[发明专利]一种背接触太阳能电池及其制备方法

说明书

本发明公开了一种背接触太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池领域。该制备方法包括：在晶硅衬底的背面形成第一功能区，所述第一功能区包括保留区和去除区；在所述保留区上形成保护层；除去所述去除区，并在所述晶硅衬底的背面形成沟槽；在所述沟槽内形成第二功能区；去除所述保护层；其中，所述第一功能区与所述第二功能区的导电类型不同。本发明实施例提供的制备方法只需要采用一次掩膜就能制备出具有绝缘性能的背面图形，工艺简单，成本低。且采用该方法能够制备得到第一功能区和第二功能区之间具有高度差的背接触太阳能电池，形成良好绝缘，避免了因二者导通而造成的开路电压、短路电流和填充因子的降低，从而提高了电池能量转化效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池领域，特别涉及一种背接触太阳能电池及其制备方法。

背景技术

背接触太阳能电池是一种将P区(正电极)和N区(负电极)均放置在电池背面(非受光面)的电池，而由于P区和N区位于同一水平面上、且距离较近，使得P区和N区容易电性导通，导致电池的开路电压、短路电流和填充因子降低，从而影响电池能量转化效率的提高。

为了制备高效的太阳能电池，需要在P区和N区之间制备绝缘性能良好的背面图形。现有技术中，多采用光刻法和激光法制备该背面图形。

发明人发现现有技术至少存在以下问题：

采用光刻技术制备背面图形需要进行多次光刻，导致整个工艺比较复杂，并且光刻工艺价格昂贵，不利于平价太阳能电池的生产；而采用激光工艺制备背面图形，容易使硅片体损伤和表面损伤，需要额外的工艺去除损伤，同样存在工艺复杂的问题。

发明内容

本发明提供一种背接触太阳能电池及其制备方法，可解决上述技术问题。

具体而言，包括以下的技术方案：

一方面，本发明提供一种背接触太阳能电池的制备方法，所述制备方法包括：

在晶硅衬底的背面形成第一功能区，所述第一功能区包括保留区和去除区；

在所述保留区上形成保护层；

除去所述去除区，并在所述晶硅衬底的背面形成沟槽；

在所述沟槽内形成第二功能区；

去除所述保护层；

其中，所述第一功能区与所述第二功能区的导电类型不同。

在一种可能的设计中，在所述去除所述保护层之后，所述制备方法还包括：在所述保留区的第一功能区上形成第一金属电极；以及在所述第二功能区上形成第二金属电极。

在一种可能的设计中，所述在所述保留区上形成保护层，包括：

通过丝网印刷工艺在所述保留区上形成所述保护层；和/或将遮盖板平铺于所述保留区，形成所述保护层。

在一种可能的设计中，所述通过丝网印刷工艺在所述保留区上形成所述保护层，包括：

将丝网印刷网版铺设在所述第一功能区，所述丝网印刷网版覆盖所述去除区，露出所述保留区；

将阻挡浆料通过所述丝网印刷网版印刷在所述第一功能区上；

干燥并固化所述阻挡浆料；优选所述阻挡浆料包括高分子材料和/或石蜡。

移走所述丝网印刷网版，在所述保留区上形成所述保护层。

在一种可能的设计中，所述除去所述去除区，并在所述晶硅衬底的背面形成沟槽，包括：

通过刻蚀工艺除去所述去除区，暴露所述晶硅衬底的背面；

在所述晶硅衬底的背面刻蚀出所述沟槽；优选所述沟槽的深度为0.5-5um。