[发明专利]一种隐形切割LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种隐形切割LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，其包括第一表面和第二表面；

在衬底的第一表面形成发光结构；

采用隐形激光切割方法在衬底的第二表面形成划痕；

沿着所述划痕对衬底和发光结构进行裂片，形成单颗LED芯片；

用酸液对单颗LED芯片的侧壁进行清洗，将单颗LED芯片侧壁的残留物去除。

2.如权利要求1所述的隐形切割LED芯片的制作方法，其特征在于，所述衬底的划痕深度大于衬底厚度的五分之一，且小于衬底厚度的三分之一。

3.如权利要求2所述的隐形切割LED芯片的制作方法，其特征在于，所述衬底的厚度为50-300nm。

4.如权利要求2所述的隐形切割LED芯片的制作方法，其特征在于，采用355nm-1064nm的激光对衬底的第二表面重复至少一次划片。

5.如权利要求4所述的隐形切割LED芯片的制作方法，其特征在于，将激光单光点在衬底的第二表面并划2次。

6.如权利要求1所述的隐形切割LED芯片的制作方法，其特征在于，所述酸液为盐酸和/或硝酸。

7.如权利要求1所述的隐形切割LED芯片的制作方法，其特征在于，所述发光结构包括设于衬底第一表面的第一半导体层、设于第一半导体层上的有源层、设于有源层上的第二半导体层、贯穿第二半导体层和有源层并延伸至第一半导体层的孔洞、设置在孔洞内并与第一半导体层导电连接的第一电极、以及与第二半导体层导电连接的第二电极。

8.如权利要求7所述的隐形切割LED芯片的制作方法，其特征在于，发光结构还包括依次设于第二半导体层上的电流阻挡层、透明导电层和绝缘层，其中，第二电极设于透明导电层上。

9.如权利要求8所述的隐形切割LED芯片的制作方法，其特征在于，所述绝缘层还覆盖在孔洞的侧壁和裸露出来的第一半导体层上。

10.一种隐形切割LED芯片，其特征在于，包括：

衬底，其包括第一表面和第二表面；

设于衬底第一表面上的发光结构；

设于衬底第二表面上的划痕，所述划痕深度大于衬底厚度的五分之一，且小于衬底厚度的三分之一。