[发明专利]基于石墨烯的植入体及其制备方法

权利要求书

1.一种植入体的制备方法，其特征在于，包括：

制备植入基体；

在所述植入基体的表面增设第一材料层，其中，所述第一材料层中至少包括：金属材料；

将石墨烯材料经过预处理后在所述第一材料层表面形成第二材料层，其中，所述第二材料层中至少包括：石墨烯材料；

将石墨烯材料经过预处理后在所述第一材料层表面形成第二材料层包括：

对所述第一材料层进行预热处理，其中，所述预热处理的预热温度范围120℃～150℃；

通过加热系统将所述石墨烯材料熔断，其中，所述加热系统的加热温度范围为800℃～2000℃；

通过热喷涂设备以额定喷涂距离、喷涂速度，将熔断后的石墨烯材料喷涂至所述第一材料层形成厚度小于0.1mm的石墨烯层，其中，所述喷涂距离范围为100mm～300mm，喷涂速度范围为7m/min～18m/min；

所述制备植入基体包括：

通过钛合金材料制备钛合金基底；

对所述钛合金基底的待喷涂表面粗化处理后得到所述植入基体，其中，所述粗化处理为通过喷砂处理使钛合金基底表面粗糙；

在所述植入基体的表面增设第一材料层包括：

通过金材料对所述植入基体的表面进行镀覆处理形成厚度小于5um的金质层。

2.根据权利要求1所述的植入体的制备方法，其特征在于，所述喷涂距离范围为200mm～250mm。

3.根据权利要求1所述的植入体的制备方法，其特征在于，所述喷涂距离范围为240mm～260mm。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的植入体的制备方法，其特征在于，还包括：

通过制冷设备对所述石墨烯层进行冷却；

待冷却的温度达到常温时停止制冷，得到所述植入体。

5.一种基于石墨烯的植入体，其特征在于，按照权利要求1-4任一项方法制得，包括：植入基体、第一材料层和第二材料层，所述第一材料层设于所述植入基体的外侧，所述第二材料层设于所述第一材料层的外侧。

6.根据权利要求5所述的基于石墨烯的植入体，其特征在于，所述植入基体和所述第一材料层之间还包括：结合层，所述结合层为所述钛合金与所述金产生化学反应的混合材料层。