[发明专利]一种渗透式热能利用方法和装置在审
申请号: | 201810621112.7 | 申请日: | 2018-06-15 |
公开(公告)号: | CN108744973A | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 毛靖宇 | 申请(专利权)人: | 毛靖宇 |
主分类号: | B01D61/00 | 分类号: | B01D61/00;F24V99/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710068*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 溶剂 热能利用 热源 方法和装置 半透膜 渗透式 溶质 连通 低温热源利用 渗透压作用 其他装置 溶剂来源 溶液流量 微观结构 限制装置 整体形成 分流体 溶剂源 渗透压 足量 锁定 发电 外部 开发 | ||
1.一种渗透式热能利用方法,其包括:
利用溶质限制装置锁定部分或全部溶质在半透膜两侧形成渗透压;
在渗透压作用下,溶剂通过半透膜到达另一侧,为溶剂减少侧提供足量的溶剂来源,可以采用以下方式A和B中的任一种或两种,最终使结构和外部流量的整体形成完整的溶剂或溶液流量循环,A)将溶剂减少侧与溶剂增加侧直接或间接连通, B)将溶剂减少侧直接或间接连通至溶剂库或自然溶剂源;
以循环某部分流体的能量作为动力,进行发电或带动其他装置。
2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
所述溶质限制装置结构中包含以下任一种或几种结构:a)电场,b)磁场,c)由疏溶剂分离膜和冷却气态溶剂到液态的装置组成的用来进行膜蒸馏过程的结构,d)半透膜,e)离子交换膜,f)可与溶质发生反应的物质,g)温度低于渗透现象中半透膜温度的区域,h)在渗透现象发生区域的加热结构。
3.根据权利要求2所述的方法,其进一步包括:
所述磁场的产生结构中包含以下任一种或几种:a)永磁体、b)电磁体、c)超导磁体。
4.根据权利要求2或3所述的方法,其进一步包括:
所述电场的产生结构中包含以下任一种或几种:a)电导体、b)永电体、c)电容器结构。
5.根据权利要求4所述的方法,溶质限制装置结构中含有电场时,布置正离子组和负离子组,正离子组利用电场锁定部分或全部正离子溶质在半透膜两侧形成渗透压,负离子组利用电场锁定部分或全部负离子溶质在半透膜两侧形成渗透压,正离子组溶剂增加侧和负离子组溶剂减少侧直接或间接连通,负离子组溶剂增加侧和正离子组溶剂减少侧直接或间接连通,其进一步包括:
将正离子组溶剂减少侧与正离子组溶剂增加侧用单向阀连通,负离子组溶剂减少侧与负离子组溶剂增加侧用单向阀连通,使溶剂减少侧的溶液可以通过单向阀到达溶剂增加侧,溶剂增加侧的溶液不能通过单向阀,从而间歇的将溶剂减少侧因渗透发生而堆积的溶质运送到溶剂增加侧。
6.一种渗透式热能利用装置,其包括:半透膜,溶质限制装置,可将流体的能量转化为机械能的转化装置,半透膜一侧腔体与转化装置直接或间接连通。
7.根据权利要求6所述的装置,其进一步包括:
所述溶质限制装置结构中包含以下任一种或几种结构:a)电场,b)磁场,c)由疏溶剂分离膜和冷却气态溶剂到液态的装置组成的用来进行膜蒸馏过程的结构,d)半透膜,e)离子交换膜,f)可与溶质发生反应的物质,g)温度低于渗透现象中半透膜温度的区域,h)在渗透现象发生区域的加热结构。
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