[发明专利]一种提高玻璃基光波导芯片均匀性的方法

权利要求书

1.一种提高玻璃基光波导芯片均匀性的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

S1、在准备好的玻璃基片上制作光波导形成所用掩膜；

S2、将形成光波导掩膜的玻璃基片进行离子交换形成表面光波导；

S3、利用腐蚀工艺去除光波导形成的所用掩膜；

S4、通过微细加工技术在玻璃基片表面制作外阻挡层；

S5、对制作有外阻挡层的玻璃基片利用电场辅助离子迁移技术形成掩埋式离子掺杂区；

S6、利用微细加工技术去除外阻挡层形成光波导。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1中还包括以下步骤：

S11、采用蒸发或溅射沉积技术在玻璃基片表面制作薄膜；

S12、利用光刻和腐蚀或刻蚀加工出离子交换窗口形成光波导形成所用掩膜。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中将带有光波导形成掩膜的玻璃基片在含有掺杂离子的熔盐中进行离子交换，离子交换温度230~400℃之间，离子交换时间5分钟到4小时之间。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤S4中包括以下步骤：

S41、采用蒸发或溅射沉积技术在玻璃基片(1)的表面制作薄膜；

S42、通过光刻和腐蚀或刻蚀对薄膜进行加工形成外阻挡层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述光波导为条形时，外阻挡层位于玻璃基片表面的离子掺杂区两侧，在玻璃基片表面的离子掺杂区附近区域形成窗口。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤S5中采用不含掺杂离子的熔盐作为电极。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述熔盐的熔化温度在280~400℃之间，在玻璃基片(1)的两侧施加直流偏压，进行电场辅助离子迁移。