[发明专利]发光元件在审
申请号: | 201810621272.1 | 申请日: | 2018-06-15 |
公开(公告)号: | CN110611020A | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 谢文俊;叶朝文 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/60;H01L33/62;H05K1/02;B82Y30/00 |
代理公司: | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;TW |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 感光阻焊层 印刷电路板 导电纳米粒子 光致发光材料 发光元件 发光二极管配置 发光二极管 反光材料 电连接 反射率 光劣化 | ||
1.一种发光元件,其特征在于,包括:
印刷电路板,具有感光阻焊层,其中所述感光阻焊层的材质包括导电纳米粒子与光致发光材料的至少其中之一及反光材料;以及
发光二极管,配置于所述印刷电路板的所述感光阻焊层上,且电连接至所述印刷电路板。
2.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,所述感光阻焊层为单层结构。
3.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,所述感光阻焊层包括彼此相接触的第一层及第二层,其中所述第一层的的材质包括所述反光材料,所述第二层的材质包括所述导电纳米粒子与所述光致发光材料的至少其中之一,且所述第二层位于所述第一层与所述发光二极管之间。
4.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,所述印刷电路板更具有多个贯穿所述感光阻焊层的导电连接端子,所述发光二极管以倒晶接合的方式配置于所述印刷电路板上,且所述发光二极管通过所述多个导电连接端子电连接至所述印刷电路板。
5.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,所述光致发光材料若吸收波长小于400纳米的光则释放450纳米至700纳米波长范围的光。
6.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,所述光致发光材料于所述感光阻焊层中的重量百分率浓度为5%至50%。
7.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,所述导电纳米粒子的粒径为0.5纳米至100纳米。
8.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,所述导电纳米粒子的重量与所述光致发光材料的重量的比率为为1%至50%。
9.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,所述感光阻焊层为白色。
10.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于:
所述反光材料包括锐钛矿二氧化钛;
所述导电纳米粒子是选自金、银、铂、铜、铝、硅、砷化镓中的一种或多种;或
所述光致发光材料是选自BaMgAl:Eu、BaMgAl:Eu,Mn、GdOS:Eu、Y2O3:Eu和YVO4:Nd中的一种或多种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中华映管股份有限公司,未经中华映管股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810621272.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种无应变AlInGaN深紫外LED外延结构
- 下一篇:发光装置及其制造方法