[发明专利]结合半导体芯片的设备和结合半导体芯片的方法

权利要求书

1.一种半导体芯片结合设备，其特征在于，包括：

固定部件，用以固定多个芯片-衬底组件的下表面，在所述芯片-衬底组件中，非导电树脂层以及半导体芯片依序堆叠在衬底上；

按压部件，布置在所述固定部件上方，所述按压部件包括激光束穿透的透明部分；

提升部件，用以相对于所述固定部件以及所述按压部件中的一个提升或降低所述固定部件以及所述按压部件中的另一个，以对所述多个芯片-衬底组件的所述半导体芯片加压，使得所述半导体芯片以及所述衬底中的一个的焊料凸块穿透所述非导电树脂层，以电接触所述半导体芯片以及所述衬底中的另一个；以及

激光头，用以通过所述按压部件的所述透明部分将所述激光束照射到通过使用所述按压部件加压的所述芯片-衬底组件，以便将所述半导体芯片以及所述衬底中的一个的焊料凸块结合到所述半导体芯片以及所述衬底中的另一个，

其中所述按压部件还包括掩模部分，所述掩模部分由不透光材料形成且支撑所述透明部分，

其中所述按压部件的所述透明部分安置在分别对应于所述多个芯片-衬底组件的区域中，

其中所述掩模部分安置在所述多个芯片-衬底组件之间的对应区域。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片结合设备，其中所述激光头将激光束依序照射到所述多个芯片-衬底组件中的每一个。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片结合设备，其中所述激光头将激光束同时照射到所述多个芯片-衬底组件中的至少两个。

4.根据权利要求2所述的半导体芯片结合设备，还包括用以传送所述激光头的头部传送部件。

5.一种半导体芯片结合方法，其特征在于，包括：

步骤a，在半导体芯片的下表面以及衬底的上表面中的一个上形成非导电树脂层；

步骤b，将所述半导体芯片安置在所述衬底上以提供多个芯片-衬底组件，在所述芯片-衬底组件中，所述衬底、所述非导电树脂层以及所述半导体芯片依序堆叠；

步骤c，通过将所述多个芯片-衬底组件安置在固定部件上来使用所述固定部件而固定所述多个芯片-衬底组件；

步骤d，通过使用提升部件而使得按压部件以及所述固定部件中的一个靠近所述按压部件以及所述固定部件中的另一个，使得所述半导体芯片以及所述衬底中的一个的焊料凸块穿透所述非导电树脂层以与所述半导体芯片以及所述衬底中的另一个电接触，其中所述按压部件安置在所述固定部件上方且包括激光束穿透的透明部分；以及

步骤e，通过由使用激光头将激光束穿过所述按压部件的所述透明部分而照射到所述按压部件与所述固定部件之间的所述芯片-衬底组件来将所述半导体芯片以及所述衬底中的一个的焊料凸块结合到所述半导体芯片以及所述衬底中的另一个，

其中步骤d通过使用包括所述透明部分以及掩模部分的所述按压部件来执行，所述透明部分安置在分别对应于所述多个芯片-衬底组件的区域中，且所述掩模部分安置在所述多个芯片-衬底组件之间的对应区域，所述掩模部分由不透光材料形成且支撑所述透明部分。

6.根据权利要求5所述的半导体芯片结合方法，其中步骤e通过将激光束通过使用所述激光头依序照射到所述芯片-衬底组件中的每一个来执行。

7.根据权利要求5所述的半导体芯片结合方法，其中步骤e通过由使用所述激光头而将激光束同时照射到所述芯片-衬底组件中的至少两个来执行。

8.根据权利要求5所述的半导体芯片结合方法，其中步骤a通过将所述非导电树脂层堆叠在所述衬底的所述上表面上同时使所述衬底固定到所述固定部件来执行，以及

其中步骤b通过在完成步骤a之后将多个半导体芯片中的每一个安置在所述衬底上的所述非导电树脂层上来执行，以及

其中步骤c通过执行步骤a以及步骤b来完成。

9.根据权利要求5所述的半导体芯片结合方法，其中步骤a通过将所述非导电树脂层附接到所述半导体芯片的所述下表面来执行，以及

其中步骤b通过将所述非导电树脂层在步骤a中所附接的多个半导体芯片安置在所述衬底的所述上表面上同时使所述衬底固定到所述固定部件来执行，以及

其中步骤c通过执行步骤a以及步骤b来完成。